[其他]快速跳火探测器无效

专利信息
申请号: 85101062 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85101062A 公开(公告)日: 1988-07-06
发明(设计)人: 德宁·卡路斯·艾比 申请(专利权)人: F·L·史密斯公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;B03C3/68
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 李先春
地址: 丹麦哥*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 静电除尘器的跳火探测器有一电流传感器2,它产生信号a经二次微分变成信号c,如c电位高于定值,电位探测电路7传送一信号d至与门8。第二电位探测电路9也接收信号a,若a超过定值,电路传送信号e至定时电路10,它自收到e后的第一预定时间起至e停止后的第二预定时间止发送一信号f。当跳火时,信号d和f同时产生,与门8就产生输出信号g,用来触发和导道脉冲发生器开关管开关电路,以防止开关管的任何损坏。
搜索关键词: 快速 探测器
【主权项】:
1、用于探测静电除尘器(Ep)的脉冲发生器跳火的跳火探测器,其特征为:有一电流传感器(2),其作用为提供与脉冲电路电流成正比的电压信号;有一第一微分单元(5),其作用为对表示电流的电压信号(a)微分;有一第二微分单元(6),其作用为对第一微分单元(5)的输出信号(b)进行微分;有一第一电平探测电路(7),其作用为当第二微分单元(6)的输出信号(c)的电平高于规定值时,传送一信号(d)至一与门(8)的一个输入端;有一第二电平探测电路(9),其作用为当表示电流的电压信号(a)超过规定值时就传送信号(e)至一定时电路(10);定时电路(10),其作用是自接收来自第二电平探测电路(9)的信号(e)后的第一预定时间(t1)至已接收到上述信号(e)或信号(e)已停止后的第二预定时间(t2),发送一信号(f)至与门(8)的第二输入端。与门(8)是在其两个输入端上同时有指示发生跳火的信号后输出一信号(g)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于F·L·史密斯公司,未经F·L·史密斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/85101062/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 开关稳压器的电磁干扰缓解-202280017489.6
  • R·S·艾斯阿德;A·W·佩雷拉;张刚强;K·A·王 - 德州仪器公司
  • 2022-03-18 - 2023-10-27 - H03K17/082
  • 在一种开关稳压器驱动器(400)中,感测电路(402)具有晶体管电流输入和感测电路输出。逻辑电路(404)具有逻辑电路输入以及第一输出和第二输出。逻辑电路输入耦合到感测电路输出。计数器(406)具有计数器时钟输入、计数器控制输入和计数器输出。计数器时钟输入耦合到第一输出。计数器控制输入耦合到第二输出。计数器(406)被配置为在计数器输出处提供计数值。可编程驱动强度电路(408)具有驱动强度电路输入和晶体管控制输出。驱动强度电路输入耦合到计数器输出。可编程驱动强度电路(408)被配置为基于计数值调整晶体管控制输出处的驱动电流。
  • 包括开关装置的电子电路-201810819139.7
  • J·尼坎德;A·纳卡里 - 通力股份公司
  • 2018-07-24 - 2023-10-27 - H03K17/081
  • 本发明涉及一种包括开关装置(22)的电子电路(20),该开关装置(22)具有监测开关装置的开关状态的监测电路(28)。根据本发明,开关装置包括至少一个半导体开关(22)作为开关元件,该半导体开关(22)连接到栅极驱动器(24),该栅极驱动器由控制信号(C)控制以实现半导体开关的切换,栅极驱动器(24)由栅极驱动器电源(26)供电,其中监测电路(28)设置在半导体栅极和其集电极之间,并包括光耦合器(30)、限流电阻器(32)和保护二极管(34)的串联连接。该串联连接与栅极驱动器电源(26)串联连接。
  • 域控制器上车载用双晶体管低边输出电路及车载用电路-202223325274.7
  • 唐荣声;张荃;李伟;韦寿红 - 深圳市德驰微视技术有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-10-27 - H03K17/081
  • 本实用新型公开了域控制器上车载用双晶体管低边输出电路及车载用电路,汽车电子电路技术领域,包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2和电阻R3,三极管Q1基极通过电阻R1连接至控制器输出端,三极管Q1基极还与三极管Q2集电极连接,三极管Q1集电极与负载连接,三极管Q1发射极通过电阻R3接地,三极管Q1发射极与三极管Q2基极连接,三极管Q2发射极接地,控制器输出端与电阻R1的一端连接。实用新型通过三极管Q1基极与三极管Q2集电极连接,利用三极管Q2检测负载电流并在发生故障时切断电流,可以实现限流的作用,其电路结构简单,成本低,响应快,电路功耗低,提高了安全性。
  • 应用于功率开关管的放电电路与电子设备-202310827100.0
  • 游轶雄;盛怀亮 - 上海慧能泰半导体科技有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-10-24 - H03K17/081
  • 本申请公开了一种应用于功率开关管的放电电路与电子设备。放电电路包括第一放电支路、第二放电支路与钳位支路。第一放电支路的第一端与功率开关管的第一端连接,第一放电支路用于为功率开关管第一端的第一电压提供放电回路。第二放电支路的第一端与功率开关管的第二端连接,第二放电支路用于为负载上的第二电压提供放电回路。钳位支路的第一端与第一放电支路的第一端连接,钳位支路的第二端与第二放电支路的第一端连接,钳位支路用于在第二电压与第一电压之间的差值大于预设差值阈值时,基于第二电压将第一电压钳位。通过上述方式,能够在功率开关管关断过程中降低功率开关管第一端与第二端之间的电压,以防止功率开关管被损坏。
  • 用于共享引脚的故障保护-202310982596.9
  • S·杜比;N·阿加瓦尔 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2017-03-31 - 2023-10-24 - H03K17/08
  • 本申请题为“用于共享引脚的故障保护”。在所描述的示例中,一种集成电路IC(100A),其向共享故障保护引脚的模块提供改进的故障保护信号(PKEEP2),该故障保护引脚处的电压能够大于上部轨的电压。IC(100A)包括:第一电路部分(102、104、106),其接收第一故障保护信号(PKEEP)和第一掉电信号(PWDN),并且提供中间信号(PWDNZ1),其中第一故障保护信号(PKEEP)指示何时故障保护引脚处的电压大于上部轨,并且第一掉电信号(PWDN)指示何时模块掉电;以及第二电路部分(108、110),其经连接以接收中间信号(PWDNZ1)并且将改进的故障保护信号(PKEEP2)提供给模块。
  • 一种智能电子开关、集成电路芯片、芯片产品和汽车-202310234448.9
  • 白文利;宋朋亮;曹岩;杜翠翠 - 无锡市稳先微电子有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-10-24 - H03K17/0812
  • 本申请实施例提供一种防止温度检测失效的智能电子开关,包括:电源供电端、电源接地端、负载输出端、驱动控制单元;功率开关;温度检测支路,其一端与电源供电端连接,其另一端与电源接地端连接,其包括温度检测单元和第一元件,所述温度检测单元与所述第一元件串联,所述温度检测单元与所述第一元件相连的点为温度检测点,所述温度检测单元邻近功率开关设置或者嵌入功率开关中,以用于检测功率开关的温度;失效判断单元,其一个输入端与所述温度检测点连接,其另一个输入端接入失效阈值电压,所述失效检测单元比较温度检测点的电压与所述失效阈值电压以输出温度检测单元是否失效的信号。本申请实施例还提供一种集成电路芯片、芯片产品和汽车。
  • 一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路-202210935791.1
  • 孙磊;羊林 - 佛山市南海区赛德声电子有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-10-24 - H03K17/082
  • 本发明公开了一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路,包括信号输入端、第一MOSFET管和第二MOSFET管,还包括与第一MOSFET管连接用于对第一MOSFET管进行工作电压实时取样的第一取样电路、与第二MOSFET管连接用于对第二MOSFET管进行工作电压实时取样的第二取样电路、分别与第一取样电路及第二取样电路连接用于将取样信号根据设定进行处理生产限制反馈信号的反馈处理模块和用于根据信号分别驱动第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的驱动模块,所述反馈处理模块和信号输入端分别与一用于生成控制信号输入到驱动模块控制第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的控制信号处理模块连接从而形成自动损耗功率限制结构。通过本发明能够有效进行保护,提高工作稳定性和效率。
  • 具有负栅极摆动能力的保护电路-201910560074.3
  • M·艾曼·谢比卜;C·G·廖 - 维西埃-硅化物公司
  • 2019-06-26 - 2023-10-24 - H03K17/08
  • 本发明公开了一种具有负栅极摆动能力的保护电路。保护电路可以包括串联耦合在第一节点和第二节点之间的第一钳位子电路、第一开关子电路和第一电阻子电路。保护电路还可以包括串联耦合在第二节点和第一节点之间的第二钳位子电路、第二开关子电路和第二电阻子电路。第一和第二钳位子电路以及第一和第二电阻子电路可以被配置为偏置开关分流子电路。开关分流子电路可以被配置为响应于来自第一和第二钳位子电路以及指示过电压、静电放电(ESD)或类似事件的第一和第二电阻子电路的偏置电位将第一和第二节点短接在一起。第一和第二开关子电路可以被配置为防止同时发生电流路径通过第一和第二电阻子电路。
  • 栅极电压控制-202010100661.7
  • 肯尼思·钟·因·夸克;赖苏明;李学初;詹福春;卿健 - 恩智浦有限公司
  • 2020-02-18 - 2023-10-24 - H03K17/082
  • 本公开的方面涉及一种用于控制栅极电压的电路系统。如可以根据一个或多个实施例实施的,对具有浮栅和目标工作电压的场效应晶体管(FET)的电压水平进行控制,当高于所述目标工作电压时,所述FET将被过度充电,并且当大约为所述目标工作电压时,所述FET具有标称工作范围。脉冲电路系统被配置成以脉冲形式向所述浮栅施加能量,在操作中,相对于所述栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低,并且然后通过调整连续脉冲改变所述所施加的能量,直到所述栅极达到所述目标工作电压为止。反馈电路对所述浮栅的电压水平进行采样并使所述脉冲电路系统能够向所述浮栅施加脉冲能量,以基于所述标称工作范围内的所述目标工作电压指导所述FET的操作。
  • 一种带过压保护的高压驱动电路及应用其的高压集成电路-202310965437.8
  • 冯宇翔;蒋华杏;华庆 - 广东汇芯半导体有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-10-20 - H03K17/081
  • 本发明涉及集成电路技术领域,特别是一种带过压保护的高压驱动电路及应用其的高压集成电路,其中带过压保护的高压驱动电路包括升压控制电路、过压保护单元和驱动电路;升压控制电路用于外接电源VCC,生成供电电压;过压保护单元用于接收供电电压,生成内置电压;当供电电压的变化量大于内置电压时,过压保护单元不输出供电电压;当供电电压的变化量小于内置电压时,则输出。高压集成电路包括上述带过压保护的高压驱动电路和低压驱动电路。从而该带过压保护的高压驱动电路和高压集成电路均可对VS端出现负压引起的过压故障进行电路保护。
  • 一种带低压保护的低压驱动电路及应用其的高压集成电路-202310965424.0
  • 冯宇翔;华庆;蒋华杏 - 广东汇芯半导体有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-10-20 - H03K17/081
  • 本发明涉及集成电路技术领域,特别是一种带低压保护的低压驱动电路及应用其的高压集成电路,其中带低压保护的低压驱动电路包括输入信号处理单元和低压保护单元;输入信号处理单元的输入端用作LIN端口,输入信号处理单元的输出端和低压保护单元的输入端电连接,低压保护单元的输出端用作LO端口;输入信号处理单元用于外接控制信号,生成驱动电压V2;低压保护单元用于接收和检测驱动电压V2,生成第一基准电压V1;当V2V1时,低压保护单元不输出驱动电压V2,而当V2V1时,则输出驱动电压V2,即可实现低压保护;再将上述低压驱动电路和高压驱动电路组成高压集成电路,使之具有对所驱动的大功率器件进行低压保护的能力。
  • 半导体装置-201980011526.0
  • 岩田英树 - 富士电机株式会社
  • 2019-08-08 - 2023-10-20 - H03K17/08
  • 具备:输出元件(1),其具有与电源侧主电极连接的电源侧电极区及与输出侧主电极连接的输出侧电极区,该输出元件使主电流流至电源侧电极区与输出侧电极区之间;内部电路(11),其具有用于检测异常的传感器电路(12b);以及封装,其内置输出元件和内部电路,并且具有主引线端子(9a)和副引线端子(9b)。主引线端子将构成传感器电路的主检测电路(3a)的布线中的中间节点引出到外部,副引线端子将能够与主检测电路分离的副检测电路(3b)的端子引出到外部,在外部,该副引线端子能够与主引线端子连接,通过主引线端子与副引线端子的连接状态来变更传感器电路的电路连接,从而使内部电路(11)的至少一部分作为对用于检测异常的基准值进行变更的基准值变更电路来发挥功能。
  • 一种固态断路器和直流配电系统-202310882749.2
  • 梁心然;文辉清;解卓玮;徐培超 - 西交利物浦大学
  • 2023-07-18 - 2023-10-17 - H03K17/081
  • 本发明实施例公开了一种固态断路器和直流配电系统。固态断路器包括第一功率器件、第二功率器件、第三功率器件、驱动控制电路、第一关断电路、第二关断电路、缓冲电路、第一保护电路、第二保护电路和第三保护电路;驱动控制电路用于将驱动开启信号发送至第一功率器件、第二功率器件以及第三功率器件的控制端,且在第一功率器件、第二功率器件以及第三功率器件关断时分别对应钳制其控制端的电压;第二关断电路用于抑制第二保护电路和第三保护电路中的寄生电容以及控制第二功率器件和第三功率器件控制端与第二端之间的电压。本发明消除由复杂电路寄生参数引起的栅极振荡,增加固态断路器的运行稳定性,确保固态短路器保护的成功率。
  • 通态电压测量电路-202280014472.5
  • 前田凌佑;木下雄介;中泽敏志 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2022-02-22 - 2023-10-13 - H03K17/08
  • 本发明提高了通态电压的测量准确度。通态电压测量电路(1)配备有检测开关元件(2)、控制单元(3)、电阻元件(4)和电压检测单元(5)。控制单元(3)包括信号输出端子(31)和基准电位端子(32),并且控制检测开关元件(2)。电阻元件(4)连接在检测开关元件(2)的源极端子(2S)与基准电位端子(32)之间。电阻元件(4)的电阻值大于检测开关元件(2)的通态电阻。控制单元(3)在半导体开关元件(9)接通时使检测开关元件(2)接通。电压检测单元(5)基于在半导体开关元件(9)和检测开关元件(2)这两者都接通时的电阻元件(4)两端的电压(V4),来检测连接在检测开关元件(2)的漏极端子(2D)与基准电位端子2D之间的半导体开关元件(9)的通态电压。
  • 一种热插拔电路及电子设备-202310649054.X
  • 吴志远;向修顺 - 武汉烽火技术服务有限公司;烽火通信科技股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-13 - H03K17/081
  • 本发明公开了一种热插拔电路及电子设备,涉及电子技术领域,包括:开关单元、电容单元和充放电电路;开关单元的第一端与电源输入端连接、第二端与电源输出端连接,开关单元为第一MOS管;电容单元的第一端与开关单元的第二端连接、第二端与开关单元的第三端连接;充放电电路的第一端与电源输入端连接、第二端与电容单元的第二端连接、第三端接地;热插拔电路上电时,充放电电路用于对电容单元的放电电流进行非线性化控制,使开关单元导通的电流逐步变大且维持在预设电流值内。本发明通过充放电电路对电容单元的非线性控制,实现了对第一MOS管近似“恒功率保护+恒流保护”的效果,使用成本低且不存在供货不足的风险,不影响设备生产成本和效率。
  • 半导体集成电路以及电源系统-201910700321.5
  • 小井手尚隆 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-07-31 - 2023-10-13 - H03K17/082
  • 本实施方式涉及半导体集成电路以及电源系统。根据实施方式,提供具有第一开关晶体管、第一参考晶体管、差动放大电路以及电流源的半导体集成电路。第一开关晶体管电连接在电源侧的第一节点与输出侧的第二节点之间。第一参考晶体管电连接在第一节点与第三节点之间。差动放大电路的第一输入端子电连接于第二节点,第二输入端子电连接于第三节点,输出端子电连接于第一开关晶体管的栅极与第一参考晶体管的栅极。电流源电连接在所述第三节点与基准电位之间。第一参考晶体管的尺寸比第一开关晶体管的尺寸小。
  • 一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置-201710786881.8
  • 许守东;陈勇;李胜男;马红升;周文闻;郭成;张丽;周鑫;李俊鹏;何鑫;赵艳鹏;王少伯;任志军;李治兵 - 云南电网有限责任公司电力科学研究院
  • 2017-09-04 - 2023-10-13 - H03K17/082
  • 本申请实公开了一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置,该电路主要包括第一PNP型三极管、第二NPN型三极管、静态压降单元和电流采样电阻。其中,第一PNP型三极管的射极连接MOS开关管的驱动信号源输出端、基极连接第二NPN型三极管的集电极、集电极接地;第二NPN型三极管的基极连接静态压降单元的一端、射极接地;静态压降单元另一端与电流采样电阻中连接MOS开关管源极的一端连接,电流采样电阻的另一端接地;MOS开关管的漏极连接负载、栅极连接驱动信号源输出端。当电流采样电阻上产生的压降和静态压降单元的电压之和大于第二NPN型三极管的开启电压时,第二NPN型三极管导通,进而第一PNP型三极管导通,限制MOS开关管的G极驱动电压,以达到限流的目的。
  • MOSFET并联过流保护电路-201710260603.9
  • 朱利东;陈峰 - 天索(苏州)控制技术有限公司
  • 2017-04-20 - 2023-10-13 - H03K17/082
  • 本发明揭示了一种MOSFET并联过流保护电路,包括一组并联的MOSFET及驱动MOSFET工作的驱动电路,还包括电压采样电路及电压比较电路,电压采样电路用于采集并联的MOSFET的源漏极电压并生成第一比较电压输出给所述电压比较电路,电压比较电路将第一比较电压与第二比较电压比较后发送低或高电平控制驱动电路关断或不关断MOSFET门极驱动信号的输出。本发明设计精巧,电路结构简单,通过设计采样电阻检测VDS反应漏极电流ID,省去了电流传感器的结构,有利于降低成本;由于没有软件介入,因此相应速度快,可靠性高,并且,第二比较电压采用温度补偿电压,相对于预设的固定过流保护门限电压,门限电压可调,与实际工况条件更契合,因而适用性更强,应用更灵活。
  • 半导体开关元件的短路保护电路-201880038917.7
  • 和田幸彦;森崎翔太 - 三菱电机株式会社
  • 2018-02-22 - 2023-10-13 - H03K17/08
  • 在短路保护电路(11)中,第1栅极电阻(12)连接于栅极驱动器(27)的第1输出节点(50)与第1栅极端子(40)之间。第1实时控制电路(10)在检测到在第1半导体开关元件(9)中流过短路电流的情况下,以使第1栅极端子(40)的电位减小的方式动作。动作监视电路(11)包括构成为输出与第1栅极电阻(12)的两端的电位差成比例的电位和第1电源(6)的电位的电位差的差电压电路(20)。动作监视电路(11)根据差电压电路(20)的输出,监视第1实时控制电路(10)是否动作。
  • 面积高效且稳健的静电放电电路-201780012223.1
  • C·C·拉斯;G·库雷罗;T·别杰茨基;F·库特纳;L·F·贾尔斯;B·斯坦 - 英特尔公司
  • 2017-02-01 - 2023-10-13 - H03K17/0812
  • 描述了一种装置,其包括:焊盘;第一晶体管,该第一晶体管与第二晶体管串联耦合并且被耦合至所述焊盘;以及自偏置电路,该自偏置电路用于偏置所述第一晶体管以使得所述第一晶体管在静电放电(ESD)事件期间将被弱偏置。还描述了一种装置,其包括:第一晶体管,第一局部镇流电阻器,该第一局部镇流电阻器由沟槽接触(TCN)层形成,该第一局部镇流电阻器具有耦合至所述第一晶体管的漏极端子或源极端子的第一端子。
  • 充电桩保护电路-202321125345.0
  • 牛海超;张威;房红利;王英会;薛海涛;郭小玲;朱倍倍;樊崇 - 南阳金冠智能开关有限公司
  • 2023-05-09 - 2023-10-13 - H03K17/08
  • 本实用新型提出了充电桩保护电路,包括开关管保护电路,开关管保护电路包括光耦U8、开关管Q2、与非门U1、与非门U2、开关管Q1和与门U3,光耦U8的第二输入端为开关管保护电路的输入端,光耦U8的第一输出端连接5V电源,光耦U8的第二输入端连接开关管Q2的控制端,开关管Q2的第一端连接与非门U2的第一输入端,开关管Q2的第二端接地,与非门U2的第二输入端连接与非门U1的输出端,与非门U2的输出端通过电阻R3连接开关管Q1的控制端,开关管Q1的控制端连接与非门U1的第一输入端,开关管Q1的第二端接地,开关管Q1的第一端作为开关管保护电路的输出端,解决了现有逆变电路中对开关管的保护效果差的问题。
  • 半导体开关元件的驱动电路-202180093632.5
  • 酒井拓也;恩田航平 - 三菱电机株式会社
  • 2021-02-17 - 2023-10-10 - H03K17/082
  • 具有检测电路(2),该检测电路(2)在栅极驱动电路(4)将半导体开关元件(1)断开而切断电流的期间,在半导体开关元件(1)的高压侧主端子的电压大于或等于预先设定的阈值的情况下输出反馈信号(A)以及反馈电流(B),控制电路(3)基于反馈信号(A),对半导体开关元件(1)的状态进行诊断,或控制向栅极驱动电路(4)输出的信号,作为栅极驱动电路(4)的输出的栅极电流由反馈电流(B)进行调整。
  • 基于SiC JFET的串联型直流保护开关-201910396826.7
  • 帅智康;王伟;雷芷琪;何东;杨雪;沈征;罗安 - 湖南大学
  • 2019-05-14 - 2023-10-10 - H03K17/081
  • 本发明公开了一种基于SiC JFET的串联型直流保护开关,属于直流保护开关技术领域。包括主开关模块、采样模块、单片机控制模块、光耦隔离模块和驱动模块。通过在接入直流电路的主开关模块中串联若干宽禁带半导体器件SiC JFET,并将采样模块并联在主开关模块的两端进行信号采样,同时与光耦隔离模块、单片机控制模块配合连接;单片机控制模块的输出端连接驱动模块,在驱动模块中仅设置一个驱动电路,且与主开关模块链接,驱动整个串联的SiC JFET的通断并实现静态或动态均压。本发明解决现有技术中驱动电路复杂的问题,实现系统正常运行时的静态均压、投切负载与切除故障过程中的动态均压以及能够快速可控可靠的故障隔离。
  • 一种驱动保护电路及电器设备-202321360326.6
  • 汪钊;樊光民;冯红涛;陈虎;吴焯然 - 纯米科技(上海)股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-03 - H03K17/082
  • 本公开实施例提供了一种驱动保护电路及电器设备包括:绝缘栅双极晶体管IGBT、IGBT驱动电路、以及IGBT保护电路;IGBT保护电路,与IGBT的集电极,以及IGBT驱动电路连接;用于在IGBT处于关断状态下,响应于IGBT集电极和发射极之间的电压值符合预设条件,通过IGBT驱动电路将IGBT导通,实现对IGBT的保护。通过IGBT保护电路对关断状态下的IGBT集电极和发射极之间的电压进行检测,在检测到的电压值符合预设条件的情况下,将IGBT导通,使得集电极和发射极之间的电压得到释放,从而达到保护IGBT的目的
  • 驱动电路、驱动方法及半导体系统-201980004763.4
  • 赤羽正志 - 富士电机株式会社
  • 2019-02-26 - 2023-09-29 - H03K17/08
  • 以小的消耗电力将异常检测信号通知给低侧的控制部。提供半导体装置的驱动电路,驱动电路具备:控制部,生成与输入信号对应的控制信号;第一电平转换部,将来自控制部的信号电平提高;高侧驱动部,基于被第一电平转换部提高了电平的控制信号来控制半导体装置;以及第二电平转换部,将来自高侧驱动部的信号的电平降低而输入到控制部,高侧驱动部具有在半导体装置为异常状态的情况下输出异常检测信号,并维持异常检测信号的输出直到被输入解除信号的异常检测部,控制部具有在介由第二电平转换部而接收到异常检测信号的情况下,使解除信号介由第一电平转换部输出到高侧驱动部的异常处理部,异常检测部在接收到解除信号的情况下停止输出异常检测信号。
  • 具有过电流保护的高侧半导体开关-202310296762.X
  • P·德尔·克罗斯;F·莫兰多蒂 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-09-26 - H03K17/082
  • 本公开涉及具有过电流保护的高侧半导体开关。本文描述了一种可以用作智能半导体开关的电路。根据一个实施例,电路包括具有耦合在供应节点和输出节点之间的负载电流路径的高侧晶体管,其被配置为在操作期间向负载提供负载电流。电路还包括:耦合至功率晶体管的控制电极的栅极驱动器电路;以及耦合至功率晶体管的控制电极的过电流保护电路的第一级,第一级被配置为驱动控制电极,使得在检测到负载电流已经达到第一阈值时使跨功率晶体管的负载电流路径的电压降增大。过电流保护电路的第二级耦合至功率晶体管的控制电极并且被配置为驱动控制电极,使得在检测到负载电流达到第二阈值时使负载电流限制于最大值或者使功率晶体管关断。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top