[实用新型]一种多层芯片堆叠结构有效
| 申请号： | 202321010799.3 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN219873525U | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 岳红菱 | 申请（专利权）人： | 汉国（深圳）电子集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/32;H01L25/16 |
| 代理公司： | 深圳市国高专利代理事务所(普通合伙) 44731 | 代理人： | 陈冠豪 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种多层芯片堆叠结构，具体涉及芯片加工技术领域，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片之间设有内辅件；所述内辅件包括屏蔽片，所述屏蔽片中内嵌有均匀分布的多个导热片，所述导热片的上表面和下表面均一体成型有均匀分布的多个导热凸，所述导热凸远离导热片的一侧延伸出屏蔽片的表面，所述导热凸远离导热片的一侧分别对应和第一芯片和第二芯片的相对侧接触，所述导热片的相背端均延伸出屏蔽片的外侧，本实用新型，通过设置内辅件，多层芯片堆叠时，将屏蔽片置于第一芯片和第二芯片之间，进行第一芯片和第二芯片之间的屏蔽，防止第一芯片和第二芯片之间出现干扰，从而提升整个芯片的使用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 芯片 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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