[实用新型]一种单晶炉热场加热器有效
| 申请号： | 202320015172.0 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN219508067U | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍军;张冠飞 | 申请（专利权）人： | 安徽阜兴新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人： | 刘跃 |
| 地址： | 236000 安徽省阜阳市开发区张*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了单晶炉设备技术领域的一种单晶炉热场加热器，包括加热器主体、第一加热器脚板和第二加热器脚板，加热器主体还包括加热器上部和加热器发热体，加热器主体呈圆筒形设置，且内部中空，加热器上部的开口宽度宽于垂直宽度均匀开设有V形槽，加热器主体外壁的下部位于V形槽之间均匀开设有切口槽，加热器发热体设置于加热器主体相互远离的两端侧壁，两个加热器发热体的底部均固定连接有连接凸板。本装置将加热器上部的横截面积设计成小于加热器下部的结构，从而使加热器上部的电阻相对较大，进一步使得加热器上部的功率增加，从而使得加热器上部温度增加，使单晶头部间隙氧含量降低，提高硅单晶质量，提高晶体成晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶炉热场 加热器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽阜兴新能源科技有限公司，未经安徽阜兴新能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202320015172.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可清除表面灰尘的纸箱印刷机
- 下一篇：一种单晶炉热场隔离装置
- 同类专利
- 一种单晶炉热场隔离装置-202320015864.5
- 鲍军 - 安徽阜兴新能源科技有限公司
- 2023-01-04 - 2023-08-11 - C30B15/16
- 本实用新型公开了单晶炉设备技术领域的一种单晶炉热场隔离装置，包括中保温筒，中保温筒的底部设置有中保隔离环，中保隔离环呈中空设置，中保隔离环的内壁中部固定连接有固定板，固定板的顶部贯穿开设有圆形贯穿槽，固定板位于圆形贯穿槽内壁相互远离的两端均贯穿开设有加热器脚板限位槽，固定板顶部相互远离的四周均匀贯穿开设有贯穿孔，中保隔离环远离中保温筒一端的底端外壁设置有下保温筒，中保温筒的内部贯穿开设有第一内腔，中保温筒的底部开设有第一环形卡槽。本装置，可降低单晶硅棒电性能中的氧含量偏高异常现象，进一步提升单晶硅棒品质，且，可适用任意尺寸规格单晶热场，有效对氧含量进行降低和降低拉晶功耗。
- 一种单晶炉热场加热器-202320015172.0
- 鲍军;张冠飞 - 安徽阜兴新能源科技有限公司
- 2023-01-04 - 2023-08-11 - C30B15/16
- 本实用新型公开了单晶炉设备技术领域的一种单晶炉热场加热器，包括加热器主体、第一加热器脚板和第二加热器脚板，加热器主体还包括加热器上部和加热器发热体，加热器主体呈圆筒形设置，且内部中空，加热器上部的开口宽度宽于垂直宽度均匀开设有V形槽，加热器主体外壁的下部位于V形槽之间均匀开设有切口槽，加热器发热体设置于加热器主体相互远离的两端侧壁，两个加热器发热体的底部均固定连接有连接凸板。本装置将加热器上部的横截面积设计成小于加热器下部的结构，从而使加热器上部的电阻相对较大，进一步使得加热器上部的功率增加，从而使得加热器上部温度增加，使单晶头部间隙氧含量降低，提高硅单晶质量，提高晶体成晶率。
- 一种晶体制备装置-202211736247.0
- 王宇;官伟明 - 眉山博雅新材料股份有限公司
- 2022-12-30 - 2023-04-28 - C30B15/16
- 本说明书实施例提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括：腔体，用于放置原料；激光加热组件，用于加热原料；以及控制组件，用于在晶体生长过程中实时调节激光加热组件的加热参数，以实时调节晶体生长过程中的温度梯度。
- 用于晶体生长的基于激光式后加热-202180045569.8
- 罗伯特·肖恩杜布 - 德累斯顿科学仪器有限公司
- 2021-07-20 - 2023-04-28 - C30B15/16
- 提供一种用于从熔融进料(23)生长为晶体(21)的晶体生长装置(10，10’，10”)和晶体生长方法，其中除了熔融区加热器之外，还设置了至少一个后加热激光器(5)以加热延伸式的后加热区(50)，后加热区(50)与邻近于熔融区(230)的固化区(210)至少部分地重叠。晶体生长设备(10，10’，10”)和晶体生长方法可用于热处理，以减少生长的晶体(21)中的裂纹形成或热应力。
- 一种提高坩埚中心部位熔液温度的方法-202211184210.1
- 郭李梁;朱振业 - 郭李梁;朱振业
- 2022-09-27 - 2023-01-17 - C30B15/16
- 一种提高坩埚中心部位熔液温度的方法，涉及人工晶体制备领域，本发明通过在坩埚中心部位的上方设置中部加热源，通过中部加热源对坩埚的中心部位进行加热，使坩埚中心部位的温度升高，实现坩埚中心部位与坩埚中心部位外围温度的均匀性，避免在拉制过程中因坩埚中部温度低而导致熔液结晶的现象，同时本发明还可以实现通过降低加热器加热功率的方式增加熔液的粘稠度，进而提高拉制速度的目的，通过本发明的实施，不仅可以避免坩埚中心部位熔液结晶，同时还可以提高晶体的拉制速度，通过本发明的应用，可以更好的实现多根柱状晶体的同时拉制等，适合大范围的推广和应用。
- 一种用于晶体生长的反射屏装置-201910860775.9
- 沈伟民;王刚 - 上海新昇半导体科技有限公司
- 2019-09-11 - 2022-04-05 - C30B15/16
- 本发明提供一种用于晶体生长的反射屏装置，包括:导流筒，配置为调节熔体和晶体之间的温度；其中，所述导流筒包括第一表面，所述第一表面靠近所述熔体表面；所述导流筒还包括第二表面，所述第二表面靠近所述晶体表面；热辐射通道，所述热辐射通道位于所述第一表面和所述第二表面之间，以将所述第一表面的热量传递到所述第二表面。根据本发明提供的用于晶体生长的反射屏装置，在导流筒的第一表面和第二表面之间设置热辐射通道，以控制熔体表面的热辐射传递到晶体外表面的热通量，从而使固液界面变得较为平坦，且晶体固液界面至其轴向一定高度处的平均温度梯度值在晶体中心和边缘范围内变得相同或相近。
- 一种用于大尺寸单晶硅棒的导流筒-202121024183.2
- 杨昊;黄怀玉;唐碧见;刘雅旭 - 弘元新材料（包头）有限公司
- 2021-05-13 - 2022-01-18 - C30B15/16
- 本实用新型公开了一种用于大尺寸单晶硅棒的导流筒，包括：单晶炉，作用于大尺寸单晶硅棒的拉制加工，所述单晶炉的内部贯穿有中部导流筒，并所述中部导流筒的上部与所述单晶炉凹凸卡合；外部导流筒，安装在所述中部导流筒的外侧，并下方呈倾斜状分布的所述中部导流筒和下方呈倾斜状分布的所述外部导流筒之间填充有保温毡；下部支撑环，安装在所述外部导流筒的下端，并呈倾斜状分布的下部支撑环的端部与所述中部导流筒的下端相互连接。该用于大尺寸单晶硅棒的导流筒，导流筒保温石墨软毡使用导热系数更低的气凝胶保温毡替换，从而提高导流筒的整体保温性能，优化生长界面径向温度均匀性的同时增大热场纵向温度。
- 硅单晶长晶方法-201911151325.9
- 陈俊宏;王兴邦;徐文庆;李依晴 - 环球晶圆股份有限公司
- 2019-11-21 - 2021-11-19 - C30B15/16
- 本发明公开一种硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备，所述硅单晶长晶方法包括：提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块；在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后，逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节，并有效控制坩埚周围热场的温度梯度，借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭。
- 一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉-202010621637.8
- 魏星;李名浩;栗展;魏涛;刘赟;薛忠营 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司
- 2020-07-01 - 2021-08-17 - C30B15/16
- 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
- 一种用于制备管状晶体材料的加热装置-202020692167.X
- 刘建军 - 刘建军
- 2020-04-30 - 2021-03-16 - C30B15/16
- 一种用于制备管状晶体材料的加热装置，涉及新材料技术领域，本实用新型通过加热器（3）直接或间接对坩埚做功，减少了热传导路径进而可实现低能耗，可实现布局灵活，便于安装与调节，同时可实现快速的升降温度，提升生产效率等，本实用新型涉及的材料选用易于实现，保温层易于确定，亦可实现模块化生产，进而降低材料成本等，本实用新型具有结构简单，生产效率高、成本低、结构设计合理等优点，特别适合大范围的推广和应用。
- 用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置-202020478077.0
- 王利伟;尹嘉琦;李万朋;滕野;陈召彬 - 大连连城数控机器股份有限公司
- 2020-04-03 - 2020-11-06 - C30B15/16
- 本实用新型提供一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。本实用新型提供的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，通过在炉盖处增加反射环，实现将原本经由炉盖内壁反射至单晶棒的热辐射、以及经由炉盖反射至热屏与单晶棒之间的空间区域的热辐射，反射至炉盖的低温区，从而降低单晶棒温度，并提高单晶棒纵向温度梯度，实现加快单晶棒散热的目的，从而提高单晶生长速度。
- 一种用于制备管状晶体材料的加热装置-202010358724.9
- 刘建军 - 刘建军
- 2020-04-30 - 2020-07-31 - C30B15/16
- 一种用于制备管状晶体材料的加热装置，涉及新材料技术领域，本发明通过加热器（3）直接或间接对坩埚做功，减少了热传导路径进而可实现低能耗，可实现布局灵活，便于安装与调节，同时可实现快速的升降温度，提升生产效率等，本发明涉及的材料选用易于实现，保温层易于确定，亦可实现模块化生产，进而降低材料成本等，本发明具有结构简单，生产效率高、成本低、结构设计合理等优点，特别适合大范围的推广和应用。
- 用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置-202010260140.8
- 王利伟;尹嘉琦;李万朋;滕野;陈召彬 - 大连连城数控机器股份有限公司
- 2020-04-03 - 2020-06-26 - C30B15/16
- 本发明提供一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。本发明提供的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，通过在炉盖处增加反射环，实现将原本经由炉盖内壁反射至单晶棒的热辐射、以及经由炉盖反射至热屏与单晶棒之间的空间区域的热辐射，反射至炉盖的低温区，从而降低单晶棒温度，并提高单晶棒纵向温度梯度，实现加快单晶棒散热的目的，从而提高单晶生长速度。
- 一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉-201811340095.6
- 沈伟民;范进;王刚;陈伟德 - 上海新昇半导体科技有限公司
- 2018-11-12 - 2020-05-19 - C30B15/16
- 本发明提供一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉，所述反射屏包括内筒、外筒、填充于所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，以及设置于所述内筒与所述外筒连接处的隔热垫。本发明提供的单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉能够降低反射屏外筒对内筒的传热，以提高晶棒的纵向温度梯度，防止或减少从硅液面蒸发的硅氧化物蒸汽在反射屏外筒上凝聚，从而减少氧化物落入硅液产生杂质而发生多晶化，同时由于减少了不必要的传热，因而还能够降低单晶生长过程中所需的加热功率。
- 单晶硅提拉装置的热屏蔽部件-201810360522.0
- 原田和浩;铃木洋二;符森林;降屋久 - 胜高股份有限公司
- 2018-04-20 - 2019-10-29 - C30B15/16
- 本发明提供一种阻止从硅熔液提拉中的单晶硅棒的外周部的急剧的温度下降，并抑制单晶硅棒中的热应力的产生的单晶硅提拉装置的热屏蔽部件。设置于腔室内的石英坩埚中储存有硅熔液，并且设置有具有筒部的热屏蔽部件，所述筒部包围从硅熔液提拉的单晶硅棒的外周面且下端与硅熔液的表面隔开间隔而位于上方。在筒部的下部设置有隆起部，隆起部由以下构成：环状的底壁，与筒部的下缘连接并到达单晶硅棒的外周面附近；筒状的纵壁，与单晶硅棒的外周面隔开指定的间隔而与底壁的内缘连接设置；及上壁，与纵壁的上缘连接设置且以随着朝向上方而直径变大的方式形成，并且上缘与筒部的内周面抵接。在隆起部的内部填充有蓄热部件。
- 缩短单晶炉熔料时间的加热系统及单晶炉-201821547714.4
- 段均;陈玉林 - 四川英杰电气股份有限公司
- 2018-09-20 - 2019-04-12 - C30B15/16
- 本实用新型提供一种缩短单晶炉熔料时间的加热系统及单晶炉，涉及熔炼设备领域。该缩短单晶炉熔料时间的加热系统包括：单晶炉、电子束装置和切换装置；单晶炉包括主炉室、隔离阀和副炉室，隔离阀设于主炉室和所示副炉室之间，主炉室与隔离阀固定连接，副炉室与隔离阀可拆卸连接；切换装置包括第一连接臂、第二连接臂和切换件，第一连接臂和第二连接臂的一端分别与切换件固定连接，副炉室与第一连接臂的另一端固定连接，电子束装置与第二连接臂的另一端固定连接；电子束装置与主炉室可拆卸连接。实现了减少了熔料时间，提高了加热效率，节约能源的效果，减少熔料工艺过程中物料收到的污染。
- 一种用于直拉单晶炉的信号矫正装置-201820869578.4
- 王峥;彭套;王松涛;刘海龙 - 麦斯克电子材料有限公司
- 2018-06-06 - 2019-02-01 - C30B15/16
- 本实用新型提供了一种用于直拉单晶炉的信号矫正装置，包括夹持机构和遮光机构，夹持机构包括夹持架和设置于夹持架上的固定栓，夹持架包括套设于信号采集玻璃窗外侧的固定框和连接于固定框两端的挡板，挡板上还预留固定孔，固定孔连接有固定栓；固定栓包括固定柱和设置于固定柱上的第一挡圈、第二挡圈，第一挡圈和挡板之间还设有夹持弹簧，固定框还连接遮光机构；遮光机构包括安装框、遮光板和定位螺栓，安装框设置于固定框的上方，安装框的侧壁还设有安装槽和安装通道，遮光板的一端设置于安装槽内，遮光板的另一端通过安装通道连接于定位螺栓。本实用新型避免干扰光信号对单晶炉采集信号的影响，提升了生产效率。
- 单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法-201610364026.3
- 张俊宝;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 - 上海超硅半导体有限公司
- 2016-05-30 - 2016-09-21 - C30B15/16
- 本发明提供一种直拉法硅单晶生长工艺中石英坩埚内壁的多晶硅的去除方法，为去除多晶硅熔化过程中粘结在石英坩埚内壁的多晶硅，采用激光束垂直照射多晶硅粘结块与石英坩埚内壁的结合点，熔化结合点处的多晶硅，使多晶硅粘结块整体熔化或部分熔化，未熔化的多晶硅块落入熔融液；为去除单晶硅生长过程中石英坩埚内壁上凝固的多晶硅，采用多台激光束平行照射凝固多晶硅与石英坩埚内壁的结合线，熔化多晶硅凝固块或将凝固薄片切割掉，进入熔融液熔化，从而消除凝固块。
- 等离子电弧焊炬的位置调节装置-201080055193.0
- 石光木;赵成大 - 株式会社KCC
- 2010-12-14 - 2012-08-15 - C30B15/16
- 本发明涉及一种等离子电弧焊炬的位置调节装置。本发明的等离子电弧焊炬的位置调节装置包括：升降装置，该升降装置使等离子电弧焊炬相对于硅熔体升降；旋转装置，该旋转装置使等离子电弧焊炬相对于所述硅熔体在圆周方向上旋转；以及角度调节装置，该角度调节装置调节相对于所述硅熔体的等离子电弧焊炬的角度。而且，多个所述等离子电弧焊炬以指定的间隔配置成放射状。因此，本发明具有如下效果：缩短使固状硅熔融形成初始熔体所消耗的时间，并且提高铸造速度；另外，还可以提高原料的熔解性，且稳定地熔解原料，从而能够经济且连续地铸造生产用于太阳能电池的高质量的硅锭。
- 可减少电弧石英坩埚内表面质量缺陷的石墨电极结构-201120005514.8
- 韩东;赵亮;吴立龙;王璐;姚世民 - 圣戈班石英（锦州）有限公司
- 2011-01-10 - 2011-09-07 - C30B15/16
- 一种可减少电弧石英坩埚内表面质量缺陷的石墨电极结构，包括石墨电极，其特殊之处是：在石墨电极上沿轴向间隔设有多个横向孔，在石墨电极上套装有石英护套，所述的石英护套通过穿过石英护套和横向孔的石英销钉固定在石墨电极上。由于采用石英护套，使熔制过程中二氧化硅蒸汽与电极上套有石英护套部位无法接触，利用二氧化硅沉积物与石英护套同质，沉积物可牢固附着，从而减少乃至消除“白点”和附着物等缺陷，提高坩埚的质量与合格率，进而减少拉晶缺陷，提高拉晶率。
- 一种用于拉晶炉的挡辐射装置-200920192467.5
- 李乔;马远 - 浙江碧晶科技有限公司
- 2009-09-07 - 2010-05-26 - C30B15/16
- 本实用新型公开了一种用于拉晶炉的挡辐射装置，包括连接杆及固定在连接杆上的若干块挡辐射板，所述的连接杆一端用于与拉晶炉内的籽晶夹头连接，另一端设有用于限定挡辐射板位置的固定头。当本实用新型挡辐射装置安装在籽晶夹头上时，通过升降籽晶绳可将挡辐射板放置在硅原料上方，这时因高温而辐射出来的热量通过挡辐射板的多次反射，很难从高温的表面散失，达到了降低加热器功率，提高硅原料温度的目的。
- CZ直拉法单晶炉石墨热场结构-200910116894.X
- 马四海;张笑天 - 芜湖升阳光电科技有限公司
- 2009-05-27 - 2009-10-21 - C30B15/16
- 本发明公开了一种CZ直拉法单晶炉石墨热场结构，石墨热场结构包括热屏与气体导流装置，热屏与气体导流装置上设热屏外层(3)和热屏内层(1)，热屏外层(3)与热屏内层(1)之间设有间隙。采用上述技术方案，采用斜面反射角度，使得热辐射的反射率增加；增加了热屏中下部热屏外层与内层的间隙，得以填充石墨碳毡，增加热屏的绝热效果。由20寸传统热封闭式场维持1420°的拉制条件需要每小时耗费70～75kW·h降低至60～65kW·h，节能超过10％；填充2～3层石墨碳毡增加了隔热性能，改变了单晶生长时的晶体的纵向温度梯度，拉速增加0.05mm/min，提高了设备生产产能，降低生产成本。
- 单晶炉炉底板与电极套的装配方法-200910030891.4
- 潘燕萍;潘国强 - 潘燕萍;潘国强
- 2009-04-20 - 2009-10-07 - C30B15/16
- 本发明公开了一种单晶炉炉底板与电极套的装配方法，包括以下步骤：步骤一、将炉底板置于数控机床上通过线切割方式加工得到用于与电极套过盈配合的装配孔；步骤二、将电极套以过盈装配方式装配于装配孔中；步骤三、将电极套与炉底板进行焊接固定。本发明的装配方法能够确保电极与炉底板与电极套的垂直度。
- 专利分类
