[发明专利]半导体功率器件版图在审
| 申请号： | 202311041883.6 | 申请日： | 2023-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN116779649A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军;江洪湖;蔡远飞;华俊武;于蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/78;H01L29/423;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 陆燕思 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体功率器件版图，该版图结构取消了利用栅极沟槽将虚栅沟槽包围的封闭结构，减少了栅极沟槽的数量和长度，降低了米勒电容，并且减小翘曲的几率。同时还能够在不需要额外增加沟槽的情况下，限制多子在基区的移动，降低了芯片上的热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 版图 | ||
【主权项】：
暂无信息
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