[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片有效
| 申请号： | 202310968497.5 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116682914B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V型坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述V型坑层包括依次层叠于所述N型GaN层上的缺陷阻断层和V型坑形成层；所述缺陷阻断层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一BN层、InN层和第二BN层；所述V型坑形成层为Ga |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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