[发明专利]一种顶栅结构的碳纳米管场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310962495.5 | 申请日： | 2023-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940130A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;侯振非;牛刚;李洁 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K71/60;H10K71/40;H10K85/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明属于效应晶体管技术领域，涉及一种顶栅结构的碳纳米管场效应晶体管，在硅基衬底的上表面设有碳纳米管薄膜；在碳纳米管薄膜表面设置有漏极电极与源极电极；位于漏极电极与源极电极之间的碳纳米管薄膜通过刻蚀形成CNT沟道层；CNT沟道层的上表面设有介电层；介质层，位于介电层、漏极电极和源极电极上表面；介质层中部设顶栅电极；介质层与顶栅电极不接触的表面部分分散金属颗粒。在栅极两侧沟道区域形成两个载流子N |
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| 搜索关键词： | 一种 结构 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种可拉伸有机电化学晶体管及其制备方法，涉及柔性有机电化学晶体管或柔性电子学技术领域，解决解决电化学晶体管中由于栅极电容过小导致栅极电压不能很大一部分在沟道处下降，从而导致输出电流不理想的情况，从下到上依次包括柔性衬底层，电极层和离子凝胶电解质层；电极层和离子凝胶电解质层之间设置相互独立且位于同一水平线的半导体活性层和PEDOT:PSS栅电极修饰层；通过简单地滴覆PEDOT:PSS栅电极修饰层在栅电极与离子凝胶电解质层间，有效地改善了离子凝胶电解质层与栅电极间的界面接触，实现了输入栅压对电解质中离子的有效控制，更有利于电解质离子注入到沟道中，增强沟道中离子‑电子电容耦合减小器件功耗损失。
- 一种基于蒸镀F4-TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及制备方法-202310434614.X
- 仪明东;俞松城;沈筠皓;王宇;缪雨彤;李雯 - 南京邮电大学
- 2023-04-21 - 2023-07-21 - H10K10/46
- 本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。
- 有机薄膜晶体管及其制造方法-201710328625.4
- 金胜勋;权晓贞;洪日和;宋昇勇;曹尚焕 - 三星显示有限公司
- 2017-05-11 - 2023-07-11 - H10K10/46
- 一种有机薄膜晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：栅电极；有机半导体层，与栅电极叠置；绝缘层，位于栅电极与有机半导体层之间，绝缘层具有有机/无机混合区域，其中，有机/无机混合区域包括聚合物和无机材料，所述无机材料通过聚合物上的反应性基团化学地结合到聚合物，绝缘层包括与聚合物相邻的空间，无机材料置于该空间中。
- 一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法-202310277624.7
- 李雯;吴春辉;王宇;赵赳;程元青;仪明东 - 南京邮电大学
- 2023-03-21 - 2023-07-07 - H10K10/46
- 本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层、有机半导体蒸镀层、可溶性半导体层、电荷存储层、自组装层和栅绝缘层，以及作为衬底的栅电极层，所述栅绝缘层位于所述栅电极层上面。本发明还公开一种有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够有效改善TIPS‑Pentacene和PS混合溶液相分离后的生长形貌，提高器件良品率和迁移率等性能。
- 基于芴基小分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法-202310301573.7
- 凌海峰;陈捷锋;刘玉玉;李玥;邵振;金展翔;解令海 - 南京邮电大学
- 2023-03-22 - 2023-06-30 - H10K10/46
- 本发明公开一种基于芴基小分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于信息存储技术领域。该存储器的电荷捕获层是由芴基小分子材料3Ph‑TrH通过溶液加工的方式制成单一薄膜后构成，小分子材料3Ph‑TrH的螺环结构有效的增加了空间位阻，起到抑制电荷泄漏的效果，具有优异的空穴捕获能力和电子捕获能力，使得存储器件表现出双极性存储(42.8V)、高稳定性、良好耐受性等优异性能，该单分子薄膜器件的迁移率达到了0.35cm
- 专利分类
