[发明专利]空白掩模版的制造方法及系统在审

申请号：	202310962116.2	申请日：	2023-06-16
公开（公告）号：	CN116931361A	公开（公告）日：	2023-10-24
发明（设计）人：	林岳明	申请（专利权）人：	上海传芯半导体有限公司
主分类号：	G03F1/26	分类号：	G03F1/26
代理公司：	上海思捷知识产权代理有限公司 31295	代理人：	王宏婧
地址：	200000 上海市浦东新区中国（上海）***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明提供一种空白掩模版的制造方法及系统，经过脉冲激光沉积、性能检测、激光表面处理(激光去膜或者先激光去膜后激光抛光)这些步骤的循环执行，脉冲激光沉积工艺的靶材利用率高，能够保证最终形成的空白掩模版的性能达到目标，从而提高了空白掩模版的制造良率和制造效率。进一步地，通过对待废弃的掩模版进行激光表面处理，从而回收其中的掩模基板，并基于回收的掩模基板来制造空白掩模版，整个过程中均通过激光工艺来实现，不需要使用湿法工艺的介入，解决了现有空白掩模版的制造方法中存在的费用较高、工艺时间较长及湿法工艺带来的环境污染等问题。
搜索关键词：	空白模版制造方法系统
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摘要：本发明提供一种掩模版的制造方法及系统，在同一工艺机台上利用脉冲激光进行脉冲激光沉积来制造空白掩模版并进一步利用同一激光器产生的脉冲激光对空白掩模版进行激光直写，获得具有所需图案的掩模版，能够实现掩模版的自动化制造，且工艺简单，制造成本低，生产效率高，掩模版的性能稳定，良率高，工艺机台设备成本低，且集成度高。

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摘要：本发明公开了一种应用于单像素成像技术的卷轴式掩膜版装置。所述卷轴式掩膜版为一块下边缘打孔的垂直于水平面放置的长条形可水平方向移动的掩膜版；所述掩膜版上覆盖有掩膜图案，由透光区和不透光区构成；所述单像素成像系统结构包括成像透镜、卷轴式掩膜版、单像素探测器、数模转换器。本发明的卷轴式掩膜版造价成本低，调制速度较快，精度较高。

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摘要：根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

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摘要：本发明提供能够抑制蚀刻掩模膜因用于清洗等的药液而发生剥离的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜，薄膜含有金属、硅及氮，蚀刻掩模膜含有铬，蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于上述蚀刻掩模膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于上述薄膜的除上述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。

空白掩模、光掩模以及半导体器件制造方法-202211696155.4
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摘要：根据本说明书的一个实施例的空白掩模包括：透光性基板；以及遮光膜，位于所述透光性基板上。遮光膜包括：第一遮光层，以及第二遮光层，位于所述第一遮光层上。第二遮光层包含过渡金属，还包含氧及氮中至少一种。遮光膜表面在1μm‑1以上且10μm‑1以下的空间频率下的功率谱密度为18nm4以上且50nm4以下的值。所述遮光膜表面在1μm‑1以上且10μm‑1以下的空间频率下的功率谱密度的最小值为18nm4以上且小于40nm4。遮光膜表面的Rq值为0.25nm以上且0.55nm以下。所述Rq值是由ISO_4287评价的值。

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摘要：本发明提供一种显示装置制造用光掩模，其能够在被转印体上稳定地形成微细的孔图案。该显示装置制造用光掩模构成为在透明基板上具有转印用图案，转印用图案包括：由四边形的透光部构成的主图案；由配置于主图案的周边的相移部构成的辅助图案；以及形成于主图案和辅助图案以外的范围的低透光部，当在主图案的周边定义包围主图案的、规定宽度的正八边形带时，辅助图案构成正八边形带的至少局部，将转印用图案所包括的多个主图案之一设为第一主图案，与第一主图案不同的第二主图案配置于接近第一主图案的位置，在构成包围第一主图案的正八边形带的八个区块中的、面对第二主图案侧的至少一个区块具有缺失的辅助图案配置于第一主图案的周边。

掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法-202310088032.0
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申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明提供一种掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法。该掩模胚料相对于包括紫外线区域的波长的曝光光具有高耐光性，并且具有高耐药性，能够形成良好的转印图案。该掩模胚料具有透光基板、以及在透光基板的主表面上设置的图案形成用薄膜，薄膜含有钛、硅以及氮，在使相对于薄膜的内部区域利用X射线光电子能谱法进行分析而得到的Ti2p窄谱中结合能是455eV的光电子强度为PN、使Si2p窄谱中结合能是102eV的光电子强度为PS时，满足PN/PS比1.18大的关系，内部区域是薄膜的除了透光基板侧的附近区域和与透光基板相反一侧的表层区域以外的区域，内部区域中氮的含量为30原子％以上。

掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法-202310095704.0
发明人：田边胜;浅川敬司 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明提供对包含紫外线区域的波长的曝光光具有高耐光性、并且具有高耐化学药品性、能够形成良好的转印图案的掩模坯料。所述掩模坯料具备：透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有钛、硅及氮，通过X射线光电子能谱法对薄膜的内部区域进行分析而获得的Ti2p窄谱在将键能为455eV的光电子强度设为PN、将键能为454eV的光电子强度设为PT时，满足PN/PT大于1.52的关系，内部区域是薄膜的除上述透光性基板侧的附近区域和与透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。

光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法-202310272742.9
发明人：黄永发;邱杰振;颜天才 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明属于半导体制作方法技术领域。本发明提出一种光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法，该光罩包括：基板；线条图案，其间隔形成于基板之上；基板具有透光区域，透光区域位于每两个相邻的线条图案之间；透光区域具有靠近其中一线条图案的第一侧，和靠近另一线条图案的第二侧；透光区域包括：第一相位移区域，其位于透光区域第一侧；第二相位移区域，其位于透光区域第二侧；其中，第一相位移区域和第二相位移区域的相位差为180°。入射光透过该光罩，在图形边缘的光具有不同的相位，两种相位的光叠加之后产生，光强度趋近于零，因此产生的背景光强度趋近于0，增大了图形与背景的对比度，提高曝光成像的品质。

光掩模坯料、光掩模的制造方法及光掩模-202211414873.8
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申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明的光掩模坯料具有基板以及由含铬材料构成的多层膜。所述多层膜从远离所述基板的一侧开始具有第一层、第二层及第三层。所述第以一层含有铬、氧、氮和碳，其中铬含有率为43原子％以下，氧含有率为32原子％以上，氮含有率为25原子％以下，碳含量为18原子％以下，且厚度为8nm以上16nm以下。所述第二层含有铬和氮，其中铬含有率为66原子％以上92原子％以下，氮含有率为8原子％以上30原子％以下，且厚度为50nm以上75nm以下。所述第三层含有铬、氧和氮，其中铬含有率为44原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为28原子％以下，且厚度为10nm以下。所述多层膜的表面粗糙度Rq为0.65nm以下。

空白掩模、空白掩模成膜装置及空白掩模的制造方法-202211472819.9
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本实施方式提供一种空白掩模和与其相关的成膜装置，上述空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域与上述遮光膜的边缘相距20mm，上述中心测定区域和边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，由下述第1‑1式表示的Rz粗糙度不均匀度为20％以下：第1‑1式：Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％。

空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法-202211556081.4
发明人：李亨周;金圭勋;李乾坤;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明涉及空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层。第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者。遮光膜的表面对波长为193nm的光的反射率大于等于20％且小于等于40％。第二遮光层的硬度大于等于0.3kPa且小于等于0.55kPa。在这种情况下，在对遮光膜的表面进行高灵敏度缺陷检测时，可以提高缺陷检测的准确性，并且可以有效抑制图案化过程中的颗粒的产生。

用于防止静电的空白掩膜和光掩膜及其制造方法-202210877739.5
发明人：许翼范;金明用;崔相洙 -专利权人：福尼克斯天安株式会社
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明公开了一种用于防止静电的空白掩膜和光掩膜及其制造方法。一种空白掩膜及使用其制造的光掩膜包括：基板；以及遮光层，其中，遮光层包括存在于基板上的遮光膜和存在于遮光膜上的抗反射膜，遮光膜由以Cr或MoSi为主要成分的材料构成，并且主要成分的含量比构成为80％或更低，以增加电阻。

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摘要：本发明提供一种相移光掩模结构及其制备方法，制备方法包括：提供一石英基底；通过第一阻挡层图形在石英基底中定义出相移区域；通过离子注入工艺将第一反应离子注入至石英基底的相移区域表层，第一反应离子与石英基底反应形成相移材料层，相移材料层的顶面与石英基底的顶面在同一平面上；去除第一阻挡层图形；通过离子注入工艺制备遮光材料层。本发明通过离子注入方式，可在同一石英基底上实现移相区和遮光区，大大拓展了光掩模的适用范围；通过离子注入反应的方式形成较薄的相移材料层或遮光材料层，可以实现较为理想的衰减和相移，可在晶圆上获得更好的分辨率和对比度，同时大大简化了光掩模的制作工艺。

空白掩膜用层叠体、其制造方法及空白掩模制造用层叠体-202211428437.6
发明人：金泰完;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/26
摘要：提供一种空白掩模用层叠体及其制造方法，上述空白掩模用层叠体包括：透光层，以及相移膜，设置在上述透光层上；通过离子色谱法在上述相移膜表面测得的残留离子包含浓度为0ng/cm2以上且0.05ng/cm2以下的硫酸离子、浓度为0ng/cm2以上且0.5ng/cm2以下的氮氧化物离子及浓度为0ng/cm2以上且5ng/cm2以下的铵离子中的至少一种，上述残留离子浓度的总和超过0。

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摘要：本发明提供在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法。光掩模在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案。上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为对于h线的相移量(度)为对于i线的相移量(度)为时，则满足且这些中，最接近180度的值为

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发明人：坪井诚治 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明提供具备透射率波长依赖性优异的新型相移膜的用于制造显示装置的相移掩模坯料。该相移掩模坯料具备：透明基板、和形成在该透明基板上的相移膜，所述相移膜至少具有相移层和金属层，所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成，所述金属层由下述材料形成：由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料，所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率，或者，所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率，所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下的范围的透射率波长依赖性为5.5％以内。

显示装置制造用光掩模、以及显示装置的制造方法-201810185361.6
发明人：今敷修久 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/26
摘要：本发明提供一种显示装置制造用光掩模，其能够在被转印体上稳定地形成微细的孔图案。该显示装置制造用光掩模构成为在透明基板上具有转印用图案，转印用图案包括：由四边形的透光部构成的主图案；由配置于主图案的周边的相移部构成的辅助图案；以及形成于主图案和辅助图案以外的范围的低透光部，当在主图案的周边定义包围主图案的、规定宽度的正八边形带时，辅助图案构成正八边形带的至少局部，将转印用图案所包括的多个主图案之一设为第一主图案，与第一主图案不同的第二主图案配置于接近第一主图案的位置，在构成包围第一主图案的正八边形带的八个区块中的、面对第二主图案侧的至少一个区块具有缺失的辅助图案配置于第一主图案的周边。

一种Gibbs-Wulff光学涡旋阵列掩模版的设计方法-202211402139.X
发明人：台玉萍;秦雪云;李新忠 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F1/26
摘要：一种Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列掩模版的设计方法，步骤如下：获取Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列的电场表达式，结合Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列的振幅、相位与一个闪耀光栅，得到所述Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列掩模版的复透过率函数，基于该复透过率函数所描述的掩模版即为所述的Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列掩模版。本发明利用计算全息原理，通过计算机编码得到Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列的振幅调制相位掩模版，可产生具有可控边界，同时边界内的结构、排布模式可控的Gibbs‑Wulff光学涡旋阵列。因而在微粒操纵和光学微加工领域具有重要的应用价值。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]空白掩模版的制造方法及系统在审

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