[发明专利]半导体结构及其形成方法、图像传感器

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、图像传感器。所述半导体结构中，金属互连层和沟槽型MIM电容形成于前端器件结构上方，并且，所述沟槽型MIM电容嵌入沿远离所述前端器件结构的方向的第m金属互连层的平面且与所述第m金属互连层通过介质材料隔离，所述沟槽型MIM电容具有下凹的曲面形状，有助于增加电容的有效面积和电容值，缩小电容占据面积，提高半导体结构的设计灵活性，用于形成所述沟槽型MIM电容的叠层材料所围成的保形沟槽可作为一些曝光工艺中的对准标记，如此可省去专门制作相应曝光工艺的对准标记的工序，有助于提高流片效率，降低成本。所述图像传感器具有与所述浮置扩散区耦接的具有上述结构的槽型MIM电容。