[发明专利]半导体工艺腔室及其控制方法在审
| 申请号： | 202310876817.4 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116936408A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 霍立宁;尹子剑;石烁;张润 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 束智伟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了半导体工艺腔室及其控制方法，其中，所述半导体工艺腔室，包括：腔室本体，距离检测装置，以及设置在腔室本体内的磁悬浮定子和环形的磁悬浮转子；磁悬浮定子用于驱动磁悬浮转子悬浮和旋转；磁悬浮转子的目标侧面设有多个检测部，多个检测部沿磁悬浮转子的周向均匀分布，检测部相对目标侧面凹陷或凸出；距离检测装置相对目标侧面设置，且距离检测装置的检查窗口在磁悬浮转子的正投影位于目标侧面内，在磁悬浮转子旋转的过程中，各检测部能够分别与检查窗口相对，距离检测装置用于检测目标侧面与检查窗口的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
