[发明专利]一种抗单粒子辐照效应的MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310868153.7 | 申请日： | 2023-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116705858A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 邱乐山;白云;刘新宇;汤益丹;郝继龙;杨成樾;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 丛洪杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种抗单粒子辐照效应的MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有的MOSFET器件受到单粒子辐照下发生单粒子烧毁和单粒子栅穿，造成器件可靠性降低和失效的问题，着重对器件在单粒子辐照下栅极漏电流增加的问题进行了器件的加固设计。该制作方法包括：在衬底上形成外延层；在外延层中形成呈轴对称的两个P基区；在外延层中形成与两个P基区均有重叠的注入区；在P基区中形成源区和短路区；在外延层的上表面形成栅极绝缘介质层；在栅极绝缘介质层上形成分隔栅极；在栅极绝缘介质层和分隔栅极上形成层间介质；形成源极和漏极，得到抗单粒子辐照的MOSFET器件。本发明大幅提高了MOSFET器件在恶劣的空间环境中的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 辐照 效应 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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