[发明专利]N型碳化硅晶体、制备方法及生长装置有效
| 申请号： | 202310857385.2 | 申请日： | 2023-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN116575122B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨弥珺;浩瀚;赵新田 | 申请（专利权）人： | 宁波合盛新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 宁波聚禾专利代理事务所(普通合伙) 33336 | 代理人： | 顾赛喜 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种N型碳化硅晶体、制备方法及其生长装置，制备方法首先在晶体生长坩埚内放置晶体生长原料，晶体生长原料包括碳化硅粉、氮化硅粉和硅粉，并在坩埚顶部设置碳化硅籽晶，将坩埚放置在用于晶体生长的热场中；第二步通入氩气维持坩埚内部气体压力，同时热场将温度升温，维持晶体生长温度和生长压力一定时间，得到N型碳化硅晶体。本申请的制备方法能够改善反应后期硅碳比失衡的现象，提升制得的晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 制备 方法 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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