[发明专利]晶圆级半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310818127.3 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116705702A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 时庆楠;张有存 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 朱磊;李洋 |
| 地址： | 312035 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种晶圆级半导体封装结构及其形成方法。包括：晶圆，晶圆上包括器件区和切割道区；介质层，位于器件区，介质层包括沿晶圆的厚度方向上层叠的多个子层；切割道开口，位于切割道区上，切割道开口经由对介质层进行曝光、显影处理而形成，切割道开口贯穿介质层；支撑层，至少位于切割道开口与介质层的底端的部分区域之间，底端为靠近晶圆的一端；支撑层抵抗显影剂的能力大于介质层抵抗显影剂的能力。本申请所提供的晶圆级半导体封装结构及其形成方法，能减少切割道开口的侧壁的形貌不符合要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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