[发明专利]一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202310811657.5 | 申请日： | 2023-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN116565003A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 万建 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管，外延片包括衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层，其特征在于，缓冲层与沟道层之间设有过渡层，过渡层包括依次层叠在缓冲层上的第一子层、第二子层、第三子层；其中，第一子层为周期性交替生长的碳掺杂GaN层和AlGaN层、第二子层为周期性交替生长的非掺杂GaN层和AlGaN层、第三子层为周期性交替生长的Si |
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| 搜索关键词： | 一种 外延 及其 制备 方法 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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