[发明专利]碳化硅晶体生长方法和长晶装置在审
| 申请号： | 202310770372.1 | 申请日： | 2023-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN116815319A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 通威微电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 曹灿 |
| 地址： | 610299 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生长方法和长晶装置涉及半导体及时领域。碳化硅晶体生长方法包括以下步骤：(1)组装阶段；(2)除杂升温阶段；(3)形核阶段：根据第一温度传感器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的边缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的中心与边缘的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；(4)生长阶段。其能够在形核阶段更好地调节籽晶区环形温场，以提高了晶体生长质量与生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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