[发明专利]存储单元、存储器及其制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 202310767383.4 | 申请日： | 2023-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN116507124B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 毛淑娟;赵超;王桂磊;李玉科 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 宋海斌 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种存储单元、存储器及其制造方法、电子设备。本申请涉及半导体技术领域。该存储单元包括垂直晶体管。垂直晶体管包括半导体柱，沿垂直于衬底方向延伸，半导体柱包括依次设置的漏极区、沟道区和源极区；栅极绝缘层和栅极，至少部分的栅极绝缘层、与栅极依次设置于所述半导体柱的沟道区的外周；垂直晶体管包括下述至少一项：靠近源极区的栅极绝缘层的介电常数大于靠近漏极区的栅极绝缘层的介电常数；靠近源极区的栅极的功函数大于靠近漏极区的所述栅极的功函数。本申请实施例能够抑制寄生三极管的开启，从而能够降低漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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