[发明专利]存储单元、存储器及其制造方法、电子设备

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底的一侧制造阵列排布的沿垂直于所述衬底方向延伸的半导体柱，所述半导体柱包括依次设置的漏极区、沟道区和源极区；

制造多个栅极和多条字线，使得所述栅极、所述字线依次设置于所述半导体柱的沟道区的外周，且所述栅极与所述半导体柱相绝缘；

制造多个栅极绝缘层，使得至少部分的所述栅极绝缘层设置于所述半导体柱的沟道区的外周，且位于所述半导体柱与所述栅极之间，其中，靠近所述源极区的所述栅极绝缘层的介电常数大于靠近所述漏极区的所述栅极绝缘层的介电常数；和/或，靠近所述源极区的所述栅极的功函数大于靠近所述漏极区的所述栅极的功函数；所述漏极区用于与位线电连接，所述源极区用于与电容结构电连接。

2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在衬底的一侧制造阵列排布的沿垂直于所述衬底方向延伸的半导体柱之前，还包括：

在衬底的一侧制造多个沿第一方向相互间隔且沿第二方向延伸的位线；所述第一方向与所述第二方向具有设计角度、且均平行于所述衬底；

以及，在衬底的一侧制造阵列排布的沿垂直于所述衬底方向延伸的半导体柱，包括：

在所述位线远离所述衬底的一侧制造层叠的第一介质层、金属层和第二介质层，对所述第二介质层、金属层和第一介质层进行图案化，得到金属结构和阵列排布的第一孔，使得所述金属结构的侧表面和所述位线的上表面均露于所述第一孔内；

在所述第一孔的侧壁制造牺牲介质层，在所述位线远离所述衬底的一侧沿着所述第一孔外延生长半导体柱。

3.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，制造多个栅极和多条字线，使得所述栅极、所述字线依次设置于所述半导体柱的沟道区的外周，包括：

对所述金属结构进行图案化，得到依次设置于所述牺牲介质层外周的栅极和字线。

4.根据权利要求3所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述字线，与沿第一方向排列成同一行的各所述栅极均电连接。

5.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极包括层叠的第一栅极和第二栅极，靠近所述源极区的所述第二栅极的功函数，大于靠近所述漏极区的所述第一栅极的功函数；所述第二栅极的功函数与所述第一栅极的功函数的差值不小于0.1电子伏特且不大于0.5电子伏特。

6.根据权利要求5所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一栅极的材料包括不掺杂的多晶硅，所述第二栅极的材料包括具有P型掺杂元素的多晶硅。

7.根据权利要求5所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述字线包括层叠的第一字线和第二字线，所述第一字线与所述第一栅极电连接，所述第二字线与所述第二栅极电连接，所述第二字线靠近所述源极区设置，所述第一字线靠近所述漏极区设置。

8.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，制造多个栅极绝缘层，使得至少部分的所述栅极绝缘层设置于所述半导体柱的沟道区的外周，且位于所述半导体柱与所述栅极之间，包括：

去除所述牺牲介质层，在所述半导体柱和所述栅极之间制造所述栅极绝缘层，使得至少部分的所述栅极绝缘层设置于所述半导体柱的沟道区的外周，且位于所述半导体柱与所述栅极之间。

9.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，去除所述牺牲介质层，在所述半导体柱和所述栅极之间制造栅极绝缘层，包括：

基于ALD掺杂工艺控制所述栅极绝缘层的介电常数，使得靠近所述半导体柱的源极区的栅极绝缘层的介电常数大于靠近漏极区的栅极绝缘层的介电常数。

10.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层设置于所述漏极区、所述沟道区和所述源极区的外周。