[发明专利]一种封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202310718813.3 | 申请日： | 2023-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN116936374A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郑清毅;陈银龙;郑银光;李美玲;施佳铭;谢敏;陈进 | 申请（专利权）人： | 芯原微电子（上海）股份有限公司;芯原微电子（成都）有限公司;芯原微电子（南京）有限公司;芯原微电子（海南）有限公司;芯原科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L25/065;H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种封装结构及其制作方法，该封装结构包括芯片组、第二芯片、导电互连线、导电柱、封装层及导电凸块，其中，芯片组包括至少一有源面向上且设有包括多个显露的第一电极的第一电极区的第一芯片；第二芯片的有源面向上叠置于第一芯片上且未遮蔽第一电极区，第二芯片的有源面设有包括第二电极及电极柱的第二电极区；导电互连线电连接第一电极与第二电极，导电柱与导电互连线间隔预设距离且和第一电极电连接；封装层覆盖第二芯片、导电互连线、导电柱及芯片组的显露表面，且显露出芯片组的背面及电极柱和导电柱；导电凸块电连接电极柱和导电柱。本发明通过优化封装结构，提升了芯片间互连信号的质量，提升了封装结构散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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