[发明专利]一种高精密芯片电容器的制备方法在审
| 申请号： | 202310683874.0 | 申请日： | 2023-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN116705505A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 黎锐;黄俊维;徐建平;高泮嵩;黄浩;李飞;张孟熙 | 申请（专利权）人： | 广东风华邦科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/10 | 分类号： | H01G4/10;H01G4/008;H01G4/38;H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 广州领诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44856 | 代理人： | 韦乃荣 |
| 地址： | 526108 广东省肇庆市高要区金渡镇肇江*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种高精密芯片电容器的制备方法，通过将SrTiO3材料装入精密成型模内制成成型的胚块，再进行静压加压提高密度，然后烧结成SrTiO3晶界层电容器锭子，再将SrTiO3晶界层电容器锭子切片、表面平整化和表面清洗后采用磁控溅射制得金属电极层，在金属电极表面光刻出特定的图形，最后按基材的介电性能计算出要求单个产品所需容值的尺寸并划切；本发明在现有单层电容器研发及生产的基础上研发应用在恶劣环境下应用的高可靠性、高稳定、片式化、低成本、小尺寸的高精密芯片电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精密 芯片 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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