[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310620895.8 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116646340A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 罗永华;周旭;王珏 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在半导体衬底上形成过渡金属层，所述过渡金属层能够与所述半导体衬底结合，由此可以避免或者减缓背面金属结构的剥离问题，提高背面金属结构的可靠性以及与所述半导体衬底的连接稳定性，并进而能够提高半导体器件的电性能以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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