[发明专利]一种级联结构器件及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202310619641.4 申请日: 2023-05-29
公开(公告)号: CN116741738A 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 袁海龙;高文健;梁丽芳;余绍棠;郑银玲;成年斌;廖嘉欣 申请(专利权)人: 佛山市国星光电股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L25/18;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 吴静芝
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种级联结构器件及其制备工艺。所述的级联结构器件包括陶瓷引线框架、Si MOSFET芯片、HEMT芯片、封装层,所述陶瓷引线框架包括一陶瓷基板、设于所述陶瓷基板正面的导电金属层、以及设于所述陶瓷基板上的多个引脚,所述Si MOSFET芯片设于导电金属层上,所述HEMT芯片设置在所述导电金属层周边的所述陶瓷基板的正面,所述Si MOSFET芯片和所述HEMT芯片通过所述导电金属层、所述引脚实现级联连接。本发明所述的级联结构器件,无须在陶瓷引线框架上先设置一陶瓷板再贴装Si MOSFET芯片,可减少封装工序,降低器件封装厚度,提高散热效果、工艺效率及良品率,降低了成本。
搜索关键词: 一种 级联 结构 器件 及其 制备 工艺
【主权项】:
暂无信息
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