[发明专利]一种级联结构器件及其制备工艺在审
申请号: | 202310619641.4 | 申请日: | 2023-05-29 |
公开(公告)号: | CN116741738A | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 袁海龙;高文健;梁丽芳;余绍棠;郑银玲;成年斌;廖嘉欣 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/18;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种级联结构器件及其制备工艺。所述的级联结构器件包括陶瓷引线框架、Si MOSFET芯片、HEMT芯片、封装层,所述陶瓷引线框架包括一陶瓷基板、设于所述陶瓷基板正面的导电金属层、以及设于所述陶瓷基板上的多个引脚,所述Si MOSFET芯片设于导电金属层上,所述HEMT芯片设置在所述导电金属层周边的所述陶瓷基板的正面,所述Si MOSFET芯片和所述HEMT芯片通过所述导电金属层、所述引脚实现级联连接。本发明所述的级联结构器件,无须在陶瓷引线框架上先设置一陶瓷板再贴装Si MOSFET芯片,可减少封装工序,降低器件封装厚度,提高散热效果、工艺效率及良品率,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 级联 结构 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星光电股份有限公司,未经佛山市国星光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310619641.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抑制电动车辆换挡抖动的控制方法、装置、设备及介质
- 下一篇:立式空调室内机