[发明专利]一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310573286.1 | 申请日： | 2023-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN116364533A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 魏星;戴荣旺;徐洪涛;汪子文;陈猛;李名浩;李炜 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及在所述表面处理层上形成多晶硅膜层，本发明通过粗糙化处理第一衬底，使得第一衬底的正面和表面处理层的表面均呈不平整的形貌，从而使得形成的多晶硅膜层有稳定的取向演变和晶粒尺寸，使多晶硅膜层具有更高的晶界密度，从而能够得到高效率的电荷捕获多晶硅膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陷阱 绝缘体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310573286.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种平流层飞艇海上发放系统及发放方法
- 下一篇：一种超细合金粉末的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
