[发明专利]一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法

权利要求书

1.一种富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；

在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及

在所述表面处理层上形成多晶硅膜层。

2.如权利要求1所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，对所述正面进行粗糙化处理的方法为：

利用化学气相刻蚀工艺对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌。

3.如权利要求2所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，对所述正面进行粗糙化处理的方法具体为：

在装载温度下将所述第一衬底装载进入化学气相沉积反应炉中；

从所述装载温度升温至第一目标温度开始对所述第一衬底进行气相刻蚀；

降温并将所述第一衬底从所述化学气相沉积反应炉中取出。

4.如权利要求3所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，将所述第一衬底装载进入化学气相沉积反应炉中时，装载温度为500℃～800℃，气氛环境设置为氢气。

5.如权利要求3所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，气相刻蚀时的工艺参数为：气氛环境为氢气和氯化氢气体的混合气体，氯化氢气体的流量为0.1slm～1slm，所述第一目标温度的取值小于1000℃，反应时间为30s～400s。

6.如权利要求3所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，降温时，气氛环境切换为氢气，并降温至500℃～800℃，降温速率为1℃/min～10℃/min。

7.如权利要求1所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，所述表面处理层为氧化物层时，对所述正面进行表面处理的方法包括：

对所述正面进行清洗处理以形成氧化物层。

8.如权利要求1所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，所述表面处理层为氮化物层或氮氧化物层时，对所述正面进行表面处理的方法包括：

对所述正面进行清洗处理以形成氧化物层；

将所述氧化物层氮化处理为氮化物层或氮氧化物层。

9.如权利要求1所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法，其特征在于，形成多晶硅膜层的方法包括：

通过化学气相沉积工艺在所述表面处理层上形成多晶硅膜层。

10.一种富陷阱绝缘体上硅结构，采用如权利要求1所述的富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法制备而成，其特征在于，所述富陷阱绝缘体上硅结构包括依次堆叠设置的第一衬底、表面处理层和多晶硅膜层，所述第一衬底具有正面，所述表面处理层和多晶硅膜层均位于所述正面侧，且所述正面经过粗糙化处理，所述表面处理层的表面形貌与所述正面的形貌相同，且均呈不平整的形貌。