[发明专利]一种半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202310558950.5 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116314338B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;钱靖 | 申请（专利权）人： | 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 王妮 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构包括漏极；N+型衬底层，第一P型基区、第二P型基区以及第三P型基区；第一P+离子注入区、第三P+离子注入区、第四P+离子注入区；第一N+离子注入区，连接所述第一P型基区与所述第二P型基区；所述第一N+离子注入区作为所述半导体结构的部分导电沟道；第二P+离子注入区；第二N+离子注入区，与所述第一N+离子注入区之间设置有所述第三P+离子注入区；第三N+离子注入区；第一栅极区；第二栅极区；源极。本发明具有改善雪崩电流通路、降低体二极管性能退化以及提高器件高可靠性的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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