[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310545127.0 | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116722040A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 曹艳荣;马毛旦;吕航航;王志恒;张新祥;陈川;吴琳姗;吕玲;郑雪峰;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/36;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，包括：依次位于SiC衬底层上的AlN成核层和GaN缓冲层；N |
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| 搜索关键词： | 一种 增强 gan hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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