[发明专利]TSV结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202310543699.5 | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116259606B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 段元星;邓庆文 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 孙毅俊 |
| 地址： | 311121 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种TSV结构及其制备方法，封装结构包括晶圆，晶圆的正面开设有容纳孔，容纳孔的中部设有呈圆柱形的第一金属层。沿容纳孔的径向，晶圆和第一金属层之间设有同轴的至少一个截面呈环形的第二金属层。晶圆与相邻的第二金属层之间、相邻的两个第二金属层之间、第一金属层与相邻的第二金属层之间均设有截面呈环形的电介质层。电介质层与晶圆之间、电介质层与第二金属层之间、电介质层与第一金属层之间均设有截面呈环形的绝缘层。至少两个电介质层设有截面呈扇环形的空气间隙。第一金属层传递信号，第二金属层接地屏蔽信号干扰，保证了TSV的传输性能。多层空气间隙可以降低整体的互联电容，缓解热应力。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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