[发明专利]一种芯片排晶方法及其装置有效
| 申请号： | 202310522495.3 | 申请日： | 2023-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN116247000B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 彭孟菲;胡恒广;闫冬成;赖余盟;周一航;黄星桦;刘开怀 | 申请（专利权）人： | 河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京格式化知识产权代理事务所(普通合伙) 16096 | 代理人： | 周君 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请提供一种芯片排晶方法及其装置，涉及芯片排晶技术领域。该方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；以第一速度将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；以第二速度顶升待排芯片上升所述实际高度值。本方法将芯片排晶过程中的顶起操作分为两步，并在第二次顶升前检测待排芯片与待置组件之间的实际间隙高度值。这样通过检测到的实际间隙高度值可以精准把控芯片被继续顶升的高度，以使芯片恰好贴置待置组件上，避免芯片因上升高度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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