[发明专利]一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件在审
| 申请号： | 202310495370.6 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116598204A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王洋 | 申请（专利权）人： | 海科（嘉兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/16;H01L23/552 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 田金霞 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体领域，公开一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件，包括以下结构：N+衬底层；N‑外延层，设于N+衬底层上表面；漏极层，设于N+衬底层下表面；场氧化层，包括第一场氧化层和第二场氧化层，其中第一场氧化层上设有栅极层，第二场氧化层上设有第一金属层；栅极层和第一场氧化层的外部覆盖有第一电容介质层，第一电容介质层上设有第一ILD层；第二场氧化层和第一金属层的外部覆盖有第二电容介质层，第二电容介质层上设有第二金属层，第二金属层外部覆盖有第二ILD层，第二ILD层设于第二电容介质层上表面。通过栅极和电容介质层的布图，实现增加MOS结构中并联电容结构，利用电容来吸收外部信号导致的电压电流振荡，进而EMI提升性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 制备 工艺 mos | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
