[发明专利]一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件

权利要求书

1.一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)在碳化硅在N+衬底上生长碳化硅N-外延层；

2)沉积场氧化层，并回刻得到第一场氧化层和第二场氧化层；

3)通过栅氧、多晶硅淀积回刻在第一场氧化层上表面形成栅极层，在第二场氧化层上表面形成第一金属层；

4)淀积电容介质层，回刻，在第一场氧化层和栅极层的外部形成第一电容介质层，在第二场氧化层和第一金属层的外部形成第二介质层；

5)在第二电容介质层上制备第二金属层，淀积第一ILD层和第二ILD层并回刻，注孔；

6)淀积金属并回刻，完成制备。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，在生长碳化硅N-外延层后，还包括步骤：在N-外延层注入形成P型阱区，对P型阱区域注入形成N型接触层，形成N/P嵌套结构，N/P嵌套结构上设有源极层，所述源极层设于N型接触层上表面。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，电容介质层采用SiO材质。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，第一ILD层和第二ILD层采用SiN材质。

5.一种碳化硅MOS器件，其特征在于，包括以下结构：

N+衬底层；

N-外延层，设于N+衬底层上表面；

漏极层，设于N+衬底层下表面；

场氧化层，包括第一场氧化层和第二场氧化层，其中第一场氧化层上设有栅极层，第二场氧化层上设有第一金属层；

栅极层和第一场氧化层的外部覆盖有第一电容介质层，第一电容介质层上设有第一ILD层；

第二场氧化层和第一金属层的外部覆盖有第二电容介质层，第二电容介质层上设有第二金属层，第二金属层外部覆盖有第二ILD层，第二ILD层设于第二电容介质层上表面。

6.根据权利要求5所述的一种碳化硅MOS器件，其特征在于，碳化硅MOS器件还包括两组N/P嵌套结构，N/P嵌套结构设置于N-外延层上部，两组N/P嵌套结构上表面与第一电容介质层和第一场氧化层接触，其中一N/P嵌套结构与第二电容介质层接触。

7.根据权利要求5所述的一种碳化硅MOS器件，其特征在于，所述第一场氧化层和第二场氧化层为SiO层。

8.根据权利要求5所述的一种碳化硅MOS器件，其特征在于，所述第一ILD层和第二ILD层为SiN层。

9.根据权利要求5所述的一种碳化硅MOS器件，其特征在于，所述第一电容介质层和第二电容介质层为SiO层。