[发明专利]一种DBC双面微通道制冷IGBT模块及其制造方法有效
| 申请号： | 202310491035.9 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116230666B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张茹;戎光荣 | 申请（专利权）人： | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473;H01L23/373;H01L21/48;H05K1/18;H05K3/34 |
| 代理公司： | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人： | 苏红红 |
| 地址： | 264000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DBC双面微通道制冷IGBT模块及其制造方法，属于半导体封装的技术领域，IGBT模块包括IGBT芯片，IGBT芯片的正面依次连接有端子下焊料层、G极端子、E极端子、端子上焊料层、上DBC基板以及上微通道热沉。G极端子、E极端子通过端子上焊料层与上DBC基板相连；G极端子、E极端子通过端子下焊料层与IGBT芯片相连；IGBT芯片的反面依次连接有下焊料层、下DBC基板以及下微通道热沉，IGBT芯片通过下焊料层与下DBC基板相连接，C极端子通过端子下焊料层与下DBC基板相连接。上DBC基板、IGBT芯片、下DBC基板共同形成双面散热结构，增加了IGBT模块的散热面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dbc 双面 通道 制冷 igbt 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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