[发明专利]一种高压隔离半导体开关驱动电路在审
申请号: | 202310483302.8 | 申请日: | 2023-04-28 |
公开(公告)号: | CN116470901A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 李柳霞;徐尤来;刘毅;刘楠;彭梓皇;林福昌;李化;张钦 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H03K17/691 | 分类号: | H03K17/691;H02M1/088;H02M3/335 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李晓飞 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种高压隔离半导体开关驱动电路。该电路包括:低边供电模块将输入的非隔离直流低压转换成低边回路中芯片正常工作需要的电压;低边信号调制模块分别将输入的宽信号脉冲转换成两个携带原始输入信号脉宽的窄脉冲,并控制低边驱动模块中的晶体管的导通时间;低边驱动模块将两个窄脉冲信号转换为高幅值、大电流的正/负极性的窄脉宽驱动脉冲;高压隔离模块将磁芯的高低边信号及能量耦合并隔离高电压;高边驱动模块根据磁芯感应产生的正/负极性窄脉冲形成脉宽与输入信号一致的驱动脉冲,控制高压半导体开关导通与关断。通过单稳态芯片将输入信号解耦成两个窄脉冲信号,减小了磁芯尺寸,避免了磁芯饱和。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 隔离 半导体 开关 驱动 电路 | ||
【主权项】:
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