[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构在审
| 申请号： | 202310450440.6 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116600564A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张启晰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供包括阵列排布的有源结构以及间隔排布的堆叠结构的基底，堆叠结构沿水平方向贯穿有源结构，堆叠结构包括沿基底的厚度方向交替层叠的第一牺牲层和第二牺牲层；去除第一牺牲层，暴露出部分有源结构；以第二牺牲层为掩膜刻蚀暴露出的部分有源结构，以形成沿基底的厚度方向上相互间隔的多个凹槽；去除第二牺牲层以形成具有凹槽的字线沟槽；于字线沟槽内形成字线结构，字线结构具有位于凹槽内的凸起结构。通过形成具有凹槽的字线沟槽，以形成具有凸起结构的字线结构，增大字线结构与有源结构之间的接触面积，以增大沟道长度，改善短沟道效应引起的漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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