[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括阵列排布的有源结构以及间隔排布的堆叠结构，所述堆叠结构沿水平方向贯穿所述有源结构，所述堆叠结构包括沿所述基底的厚度方向交替层叠的第一牺牲层和第二牺牲层；

去除所述第一牺牲层，以暴露出部分所述有源结构；

以所述第二牺牲层为掩膜刻蚀暴露出的部分所述有源结构，以形成沿所述基底的厚度方向上相互间隔的多个凹槽；

去除所述第二牺牲层以形成具有所述凹槽的字线沟槽；

于所述字线沟槽内形成字线结构，所述字线结构具有位于所述凹槽内的凸起结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供基底，包括：

提供衬底，所述衬底包括阵列排布的第一有源部和所述第一有源部之间的第一隔离结构；在所述衬底上依次形成堆叠结构、第二有源部以及第二隔离结构，且所述第二有源部位于所述第一有源部上，所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构上，所述堆叠结构沿所述水平方向贯穿所述第二有源部和所述第二隔离结构，所述第一有源部和所述第二有源部构成所述有源结构。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次形成堆叠结构、第二有源部以及第二隔离结构，包括：

在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿所述厚度方向交替层叠的第一牺牲膜和第二牺牲膜；

沿所述厚度方向刻蚀所述第一牺牲膜和所述第二牺牲膜，以在所述堆叠层中形成相互间隔的多个隔离沟槽，相邻所述隔离沟槽之间剩余的所述堆叠层作为所述堆叠结构；

对所述第一有源部进行外延工艺，以在所述多个隔离沟槽中的所述第一有源部上形成所述第二有源部；

在所述多个隔离沟槽中的所述第一隔离结构上形成所述第二隔离结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供基底，包括：

提供衬底，所述衬底包括阵列排布的初始有源部和位于所述初始有源部之间的初始隔离结构；

在所述衬底中形成间隔排布的多个堆叠结构，剩余的初始有源部作为有源结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述多个堆叠结构步骤包括：

在所述衬底中形成间隔排布的多个初始沟槽，所述初始沟槽沿水平方向贯穿所述有源结构；

在所述多个初始沟槽中形成第一牺牲膜；

去除部分高度的所述多个初始沟槽中的所述第一牺牲膜，剩余的所述第一牺牲膜作为所述第一牺牲层；

在所述多个初始沟槽中的所述第一牺牲层上形成第二牺牲膜；

去除部分高度的所述多个初始沟槽中的第二牺牲膜，剩余的所述第二牺牲膜作为所述第二牺牲层；

循环在所述多个初始沟槽中形成所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以形成所述多个堆叠结构。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲膜覆盖所述多个初始沟槽的底部和侧壁，所述去除部分高度的所述多个初始沟槽中的所述第一牺牲膜，包括：

在所述第一牺牲膜上形成填充所述多个初始沟槽的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，湿法刻蚀去除所述多个初始沟槽的侧壁上的所述第一牺牲膜；

去除所述掩膜层。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述去除第一牺牲层，包括：

沿所述厚度方向，刻蚀贯穿所述堆叠结构，以在所述堆叠结构中形成字线沟槽，所述字线沟槽暴露出部分所述第一牺牲层和所述第二牺牲层；

沿所述字线沟槽去除所述第一牺牲层。