[发明专利]一种多芯片并联半桥型IGBT模块在审
| 申请号： | 202310335805.0 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116387264A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 姚二现;陈英毅;骆健;杨金龙;童颜;黄全全 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L25/18 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 史俊军 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 半桥型 igbt 模块 | ||
【主权项】：
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