[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202310332782.8 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116053369B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片，包括：衬底，在所述衬底上依次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、位错密度控制层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述位错密度控制层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的SiN位错过滤层、Al |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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