[发明专利]半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备有效
| 申请号： | 202310317554.3 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN116347896B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 巴兰松;张云森;李辉辉;余泳 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 王存霞;霍荣荣 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括：衬底、背栅、半导体层、漏极、磁性隧道结以及位于半导体层远离衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极。半导体层与背栅叠层设置且绝缘；磁性隧道结位于漏极远离衬底的一侧，且与漏极接触；第一源极和第一栅极位于漏极的一侧，第二源极和第二栅极位于漏极的另一侧，且第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极分别在衬底上的正投影均与半导体层在衬底上的正投影交叠。本申请提供的半导体结构包括一个磁性隧道结和两个晶体管，相对于传统的MRAM存储单元，能够提升MRAM存储单元读写稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 存储器 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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