[发明专利]半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

背栅，位于衬底的一侧；

半导体层，位于所述背栅远离所述衬底的一侧，所述半导体层与所述背栅叠层设置且绝缘；

漏极，位于所述半导体层远离所述衬底的一侧，且在所述衬底上的正投影与所述半导体层在所述衬底上的正投影交叠；

磁性隧道结，位于所述漏极远离衬底的一侧，且与所述漏极接触；

位于所述半导体层远离所述衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极，所述第一源极和所述第一栅极位于所述漏极的一侧，所述第二源极和所述第二栅极位于所述漏极的另一侧，且所述第一源极、所述第一栅极、所述第二源极和所述第二栅极分别在所述衬底上的正投影均与所述半导体层在所述衬底上的正投影交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一栅极和所述第二栅极关于所述漏极的垂直平分线对称设置；

所述第一源极和所述第二源极关于所述漏极的垂直平分线对称设置；

所述第一栅极和所述第二栅极靠近所述垂直平分线，所述第一源极和所述第二源极远离所述垂直平分线。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一绝缘介质层，位于所述第一源极与所述第一栅极之间；

第二绝缘介质层，位于所述第一栅极与所述漏极之间；

第三绝缘介质层，位于所述漏极与所述第二栅极之间；

第四绝缘介质层，位于所述第二栅极与所述第二源极之间；

第一栅介电层，位于所述背栅与所述半导体层之间；

第二栅介电层，位于所述第一栅极与所述半导体层之间；

第三栅介电层，位于所述第二栅极与所述半导体层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一源极、所述第二源极和所述漏极均包括两个导电层，且所述两个导电层叠层设置且接触。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述半导体层的材料包括氧化铟镓锌。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

位线，位于所述磁性隧道结远离所述衬底的一侧，且与所述磁性隧道结接触。

7.据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第五绝缘介质层，位于所述第一源极和所述第一栅极远离所述衬底的一侧，且完全覆盖所述第一源极和所述第一栅极，且与所述磁性隧道结和所述位线接触；

第六绝缘介质层，位于所述第二源极和所述第二栅极远离所述衬底的一侧，且完全覆盖所述第二源极和所述第二栅极，且与所述磁性隧道结和所述位线接触；

所述第五绝缘介质层上表面和所述第六绝缘介质层的上表面，均与所述位线的上表面齐平。

8.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至7任一所述的半导体结构。

9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求8所述的存储器。

10.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在衬底的一侧依次制作背栅和半导体层；

在制作有半导体层的衬底上，制作第一源极、第一栅极、漏极、第二源极和第二栅极；所述第一源极和所述第一栅极位于所述漏极的一侧，所述第二源极和所述第二栅极位于所述漏极的另一侧，且所述第一源极、所述第一栅极、所述第二源极和所述第二栅极分别在所述衬底上的正投影均与所述半导体层在所述衬底上的正投影交叠；

在制作有所述第一源极、所述第一栅极、所述漏极、所述第二源极和所述第二栅极的衬底上，制作磁性隧道结；磁性隧道结与所述漏极接触。