[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202310317325.1 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116344554A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 叶家宏;黄国有;宋文清;吕思慧 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，其包括基板、第一导电层、第一绝缘层、栅极结构、半导体层以及第二绝缘层。第一导电层设置于基板上。第一绝缘层设置于第一导电层上。栅极结构设置于第一绝缘层之上。半导体层设置于第一绝缘层与栅极结构之间。半导体层包括沟道区、第一重掺杂区、第二重掺杂区以及至少一轻掺杂区。沟道区重叠于栅极结构。第一重掺杂区与第二重掺杂区分别位于沟道区的两侧。至少一轻掺杂区位于第一重掺杂区与沟道区之间或第二重掺杂区与沟道区之间，以在沟道区的两侧形成不对称的掺杂结构。第二绝缘层设置于半导体层与栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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