[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板；

栅极结构，设置于该基板之上；

半导体层，设置于该基板与该栅极结构之间，其中该半导体层包括：

沟道区，在该基板的法线方向上重叠于该栅极结构；

第一重掺杂区与第二重掺杂区，分别位于该沟道区的两侧；以及

至少一轻掺杂区，位于该第一重掺杂区与该沟道区之间或该第二重掺杂区与该沟道区之间，以在该沟道区的该两侧形成不对称的掺杂结构；以及

第二绝缘层，设置于该半导体层上，且位于该半导体层与该栅极结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极结构包括：

彼此分离的第一导电部分与第二导电部分，其中该沟道区包括与该第一导电部分在该基板的该法线方向上重叠的第一未掺杂区，与该第二导电部分在该基板的该法线方向上重叠的第二未掺杂区，以及位于该第一未掺杂区与该第二未掺杂区之间的沟道掺杂区。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该栅极结构还包括：

第三导电部分，设置于该第一导电部分与该第二导电部分上，以电连接该第一导电部分与该第二导电部分。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该沟道掺杂区与该第三导电部分在该基板的该法线方向上部分重叠。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该栅极结构还包括：

导电延伸部分，设置于该第二绝缘层上，并连接该第一导电部分与该第二导电部分，其中该导电延伸部分在该基板的该法线方向上与该半导体层不重叠。

6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一导电层，设置于该基板上；以及

第一绝缘层，设置于该第一导电层上，

其中该第一导电层在该基板上的正投影面积大于该栅极结构在该基板上的正投影面积。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导电层在该基板的该法线方向上部分重叠于该至少一轻掺杂区。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该至少一轻掺杂区包括：

第一轻掺杂区，位于该第一重掺杂区与该沟道区之间；以及

第二轻掺杂区，位于该第二重掺杂区与该沟道区之间，其中该第一轻掺杂区的宽度与该第二轻掺杂区的宽度不同。

9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括：

源极，电连接至该第一重掺杂区；以及

漏极，电连接至该第二重掺杂区，其中该第二轻掺杂区的该宽度大于该第一轻掺杂区的该宽度。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中：

该第一导电层包括彼此分离的第四导电部分及第五导电部分，

该第四导电部分对应于该第一导电部分，并在该基板的该法线方向上与该第一导电部分及该第一轻掺杂区重叠，且

该第五导电部分对应于该第二导电部分，并在该基板的该法线方向上与该第二导电部分及该第二轻掺杂区重叠。

11.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一导电部分的宽度与该第二导电部分的宽度不同。

12.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一导电部分的外夹角的角度与该第一导电部分的内夹角的角度不同。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第一导电部分的该内夹角的该角度大于该第一导电部分的该外夹角的该角度。

14.一种半导体装置，包括：

基板；

半导体层，设置于该基板上，其中该半导体层包括沟道区，该沟道区包括：

第一未掺杂区；

第二未掺杂区；以及

沟道掺杂区，位于该第一未掺杂区与该第二未掺杂区之间；

栅极结构，设置于该半导体层之上，其中该栅极结构包括：

第一导电部分，在该基板的法线方向上重叠于该第一未掺杂区；

第二导电部分，在该基板的该法线方向上重叠于该第二未掺杂区；以及

第三导电部分，设置于该第一导电部分与该第二导电部分上且在该基板的该法线方向上部分重叠于该沟道掺杂区，其中该第一导电部分与该第二导电部分彼此分离，该第三导电部分电连接该第一导电部分与该第二导电部分；以及

绝缘层，设置于该半导体层上，且位于该半导体层与该栅极结构之间。