[发明专利]一种四通道鳍型的垂直碳化硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310289500.0 | 申请日： | 2023-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116417500A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 李春林 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种四通道鳍型的垂直碳化硅器件及其制备方法，四通道鳍型的垂直碳化硅器件包括，N型衬底层、N型掺杂漂移层、鳍型硅墙、P型屏蔽区、栅氧化层、多晶硅栅层、漏极、栅极和源极，其中鳍型硅墙设有两个，两个鳍型硅墙间隔且平行成型在所述漂移层的上表面，鳍型硅墙包括N型掺杂缓冲层、P阱层、N+区域和P+区域，P阱层位于所述漂移层的延伸部的上表面，P阱层的上表面设有源区，源区包括两个N+区域和一个P+区域，P+区域设置在两个N+区域之间。增加器件的电流通道数量，电流通道由双通道增加至四通道，提高器件的功率，并且能很好保护栅结构，同时也能够很好的保护集成SBD二极管，提高器件的反向性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 垂直 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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