[发明专利]一种共漏双MOSFET结构的制作方法有效
| 申请号： | 202310286760.2 | 申请日： | 2023-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN115995391B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 潘继 | 申请（专利权）人： | 无锡沃达科半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 江苏瀛恒律师事务所 32601 | 代理人： | 曾昭昱 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种共漏双MOSFET结构的制作方法，其优化共漏MOSFET的源到源的导通电阻值，降低了生产难度和成本的同时，能够制造出厚氧化层的厚度较薄、沟渠的宽度较小的共漏双MOSFET结构，在门极（G1）和门极（G2）之间的核心部分厚氧化层完全是由硅晶体氧化而成，核心区不需要Mask遮挡，Mask的精度要求比以前做法中的Mask要低，且更方便于制造更小沟渠宽度的C2C共漏极金属场效应管，能够制造出核心厚氧化层IPO的厚度较薄、各栅极（G1，G2）沟槽较窄，整体沟渠的宽度（G1+IPO+G2）较小的共漏双MOSFET结构，有效降低了小沟渠的制造难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共漏双 mosfet 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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