[发明专利]一种大尺寸碳化硅单晶生长方法及装置在审
| 申请号： | 202310253972.0 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116219548A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李文新;姚永兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市国碳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 深圳市深弘广联知识产权代理事务所(普通合伙) 44449 | 代理人： | 向用秀 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明为一种大尺寸碳化硅单晶生长方法及装置，包括保温层、石墨坩埚、第一加热装置、第二加热装置，将石墨坩埚放置在保温层的空腔内，石墨坩埚包括结晶区和原料气化区，石墨坩埚的外表面还设有第一加热装置和第二加热装置，分别对原料气化区和结晶区加热，通过控制装置控制第一加热装置和第二加热装置分别对原料气化区和结晶区进行单独加热，使得原料气化区的第一温度场和结晶区的第二温度场的温度更加容易控制，而且控制的更加精准，并防止籽晶表面的石墨化。其次在保温层的顶部设置多组偏心设置的散热孔，不仅使得保温层内的热量能够有效散失，起到增大轴线温度梯度的作用，而且对籽晶边缘部的散热效果更佳，进一步减小了径向温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 碳化硅 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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