[发明专利]一种提亮倒装LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202310190781.4 | 申请日： | 2023-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN116314484A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄章挺;郑高林;张帆 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 王培慧 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提亮倒装LED芯片的制备方法，包括如下步骤：S3：使Wafer1的中部生长出中部二氧化硅层；S4：使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7‑9微米；通过光刻工艺在中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔。本发明的有益效果在于：所述中部二氧化硅层辅助ITO层扩散了流过量子阱层的电流，提高了发光量。部分的银镜反射层绕过ITO层直接接触P型氮化镓进一步的扩散了流过量子阱层的电流。所述中部二氧化硅层因为设有通孔，使其能与银镜反射层形成高低折射率的折射层，使光线全反射，增加了LED芯片的发光量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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