[发明专利]一种提亮倒装LED芯片的制备方法

说明书

本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提亮倒装LED芯片的制备方法，包括如下步骤：S3：使Wafer1的中部生长出中部二氧化硅层；S4：使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7‑9微米；通过光刻工艺在中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔。本发明的有益效果在于：所述中部二氧化硅层辅助ITO层扩散了流过量子阱层的电流，提高了发光量。部分的银镜反射层绕过ITO层直接接触P型氮化镓进一步的扩散了流过量子阱层的电流。所述中部二氧化硅层因为设有通孔，使其能与银镜反射层形成高低折射率的折射层，使光线全反射，增加了LED芯片的发光量。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提亮倒装LED芯片的制备方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源。

LED芯片又分为正装和倒装，其中倒装的LED芯片应用在车前灯时，要求倒装的LED芯片具有较高的亮度。参考公开号为CN112242461A的中国专利，其公开了一种高亮度LED芯片及制作方法，该LED芯片中，通过增加ITO层的厚度和减少ITO层的宽度使LED芯片的亮度提高。但上述方案对LED芯片的亮度的提升幅度并没能达到本领域技术人员的预期。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种提亮倒装LED芯片的制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：一种提亮倒装LED芯片的制备方法，包括如下步骤：

S1：将衬底置入反应腔，在衬底上依次生长N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；刻蚀量子阱层和P型氮化镓层的边沿，使N型氮化镓层的表面裸露出；

S2：通过溅射工艺以及光刻工艺，使P型氮化镓层上生长出ITO层，并使所述ITO层的边沿距离P型氮化镓层的边沿12-16微米；

S3：通过以上步骤得到的结构为Wafer1；在Wafer1上沉积二氧化硅，使Wafer1的周缘生长出周缘二氧化硅层，使Wafer1的中部生长出中部二氧化硅层；

S4：通过光刻工艺刻蚀周缘二氧化硅层，使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7-9微米；

通过光刻工艺刻蚀中部二氧化硅层，使中部二氧化硅层覆盖在P型氮化镓层和ITO层上，并且中部二氧化硅层的边沿距离P型氮化镓的边沿11-13微米；

通过光刻工艺在中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔；

S5：通过以上步骤得到的结构为Wafer2，在Wafer2上溅射银镜反射层，并通过光刻工艺将周缘二氧化硅层上的银镜反射层刻蚀去除；

S6：完成倒装LED芯片的制备。

本发明的有益效果在于：常规的LED芯片的银镜反射层与ITO层之间没有中部二氧化硅层；本发明的提亮倒装LED芯片的制备方法中的中部二氧化硅层代替了银镜反射层的一部分，节省了生成银镜反射层的金属材料，降低了成本。

所述中部二氧化硅层辅助ITO层扩散了流过量子阱层的电流，提高了发光量。部分的银镜反射层绕过ITO层直接接触P型氮化镓进一步的扩散了流过量子阱层的电流。

所述中部二氧化硅层因为设有通孔，使其能与银镜反射层形成高低折射率的折射层，使光线全反射，增加了LED芯片的发光量。

附图说明

图1为本发明具体实施方式的实施例三的倒装LED芯片的整体结构示意图；