[发明专利]一种提亮倒装LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：将衬底置入反应腔，在衬底上依次生长N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；刻蚀量子阱层和P型氮化镓层的边沿，使N型氮化镓层的表面裸露出；

S2：通过溅射工艺以及光刻工艺，使P型氮化镓层上生长出ITO层，并使所述ITO层的边沿距离P型氮化镓层的边沿12-16微米；

S3：通过以上步骤得到的结构为Wafer1；在Wafer1上沉积二氧化硅，使Wafer1的周缘生长出周缘二氧化硅层，使Wafer1的中部生长出中部二氧化硅层；

S4：通过光刻工艺刻蚀周缘二氧化硅层，使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7-9微米；

通过光刻工艺刻蚀中部二氧化硅层，使中部二氧化硅层覆盖在P型氮化镓层和ITO层上，并且中部二氧化硅层的边沿距离P型氮化镓的边沿11-13微米；

通过光刻工艺在中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔；

S5：通过以上步骤得到的结构为Wafer2，在Wafer2上溅射银镜反射层，并通过光刻工艺将周缘二氧化硅层上的银镜反射层刻蚀去除；

S6：完成倒装LED芯片的制备。

2.根据权利要求1所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S3和S4中保持反应腔压力80-100Pa，温度200-230度。

3.根据权利要求1所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S5还包括S5.1、S5.2和S5.3；

S5.1：制作银镜保护层；

S5.2：通过以上步骤得到的结构为Wafer3，在Wafer3上覆盖银镜二氧化硅层；

S5.3：在上述步骤得到的结构上开孔以及制作电极。

4.根据权利要求3所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S5还包括S5.4和S5.5；

S5.4：通过以上步骤得到的结构为Wafer5，在Wafer5上覆盖表层二氧化硅层，在表层二氧化硅层上开孔；

S5.5：通过以上步骤得到的结构为Wafer6，在Wafer6蒸镀Pad金属，将Pad金属连接电极。

5.根据权利要求4所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S5.1具体为：通过蒸镀工艺使银镜反射层上覆盖银镜保护层；银镜保护层的金属材质包括铬、铝、钛和铂。

6.根据权利要求4所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S5.3的“在上述步骤得到的结构上开孔”具体为：通过以上步骤得到的结构为Wafer4，在Wafer4上刻蚀N极开孔，使N极开孔贯通银镜二氧化硅层和周缘二氧化硅层直至N型氮化镓层；通过光刻工艺在银镜二氧化硅层的中部刻蚀P极开孔直至P极开孔贯通到银镜保护层。

7.根据权利要求6所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S5.3的“制作电极”具体为：在N极开孔中和银镜二氧化硅层的周缘上蒸镀Line金属。

8.根据权利要求7所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S5.4的“在表层二氧化硅层上开孔”具体为：通过刻蚀在表层二氧化硅层上开孔，通过开孔使P极开孔以及Line金属裸露。

9.根据权利要求8所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S5.5具体为：通过以上步骤得到的结构为Wafer6，在Wafer6蒸镀Pad金属，刻蚀Pad金属而将Pad金属分割成第一Pad电极和第二Pad电机，所述第一Pad电极接触银镜保护层，第二Pad电极接触Line金属；完成倒装LED芯片的制备。

10.根据权利要求1所述提亮倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述S3和S4具体为：

在Wafer1上沉积二氧化硅，在二氧化硅上涂设光刻胶，使用掩膜版覆盖在光刻胶上，所述掩膜版的中部均匀设有多个掩膜通孔，所述掩膜通孔的直径为8-20微米，相邻的所述掩膜通孔之间的间距为18-30微米；所述掩膜版上设有环形通槽，所述环形通槽的水平位置在ITO层的边沿和P层的边沿之间；所述通孔在环形通槽远离掩膜版的边沿的一侧；

通过显影曝光处理光刻胶后，使用腐蚀溶液二氧化硅和光刻胶，使周缘二氧化硅层朝向Wafer1中部延伸的侧部覆盖在P型氮化镓层上，并且该侧部的边沿距离P型氮化镓层的边沿7-9微米；

使中部二氧化硅层覆盖在P型氮化镓层和ITO层上，并且中部二氧化硅层的边沿距离P型氮化镓的边沿11-13微米；

使中部二氧化硅层上均匀刻蚀多个通孔，使所述通孔直径7-9微米，相邻的通孔间距29-31微米。