[发明专利]一种直插式的高集成度功率模块的封装结构在审
| 申请号： | 202310182441.7 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116344518A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王来利;孔航;杨奉涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/32;H01L23/367;H01L23/40;H01L23/473;H01L23/49;H01L23/538;H01L25/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直插式的高集成度功率模块的封装结构，第一金属陶瓷绝缘导电基板与第二金属陶瓷绝缘导电基板之间设置有第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片、第二铜片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、驱动芯片、自举二极管、第二电容及第三电容；第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片及第二铜片依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的一侧，自举二极管、第二电容、驱动芯片及第三电容设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的另一侧，第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板的中部，该封装结构具有寄生电感低、封装热阻小及集成度较高特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直插式 集成度 功率 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
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