[发明专利]一种直插式的高集成度功率模块的封装结构

权利要求书

1.一种直插式的高集成度功率模块的封装结构，其特征在于，包括第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)及第二金属陶瓷绝缘导电基板(106)；

第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)与第二金属陶瓷绝缘导电基板(106)之间设置有第一电容(104)、第一半导体芯片(100)、第二半导体芯片(101)、第一铜片(102)、第二铜片(103)、第一电阻(212)、第二电阻(213)、第三电阻(214)、第四电阻(215)、驱动芯片(208)、自举二极管(209)、第二电容(210)及第三电容(211)；

第一电容(104)、第一半导体芯片(100)、第二半导体芯片(101)、第一铜片(102)及第二铜片(103)依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)的一侧，自举二极管(209)、第二电容(210)、驱动芯片(208)及第三电容(211)设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)的另一侧，第一电阻(212)、第二电阻(213)、第三电阻(214)及第四电阻(215)依次设置于第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)的中部。

2.根据权利要求1所述的直插式的高集成度功率模块的封装结构，其特征在于，还包括第一金属功率端子(200)、第二金属功率端子(201)、第三金属功率端子(202)、第一金属信号端子(203)、第二金属信号端子(204)、第三金属信号端子(205)、第四金属信号端子(206)及第五金属信号端子(207)；

第一金属信号端子(203)、第二金属信号端子(204)、第三金属信号端子(205)及第四金属信号端子(206)分别与驱动芯片(208)的VDDI引脚、HI引脚、LI引脚及D_GND引脚相连接，驱动芯片(208)的VDDA引脚与自举二极管(209)的正极、第二电容(210)的一端相连接，自举二极管(209)的负极与第五金属信号端子(207)相连接，驱动芯片(208)的第一VOA引脚与第一电阻(212)的一端相连接，驱动芯片(208)的第二个VOA引脚与第二电阻(213)的一端相连接，第二电阻(213)的另一端及第一电阻(212)的另一端与第一半导体芯片(100)的控制端相连接，驱动芯片(208)的GNDH引脚与第二电容(210)的另一端、第二金属功率端子(201)、第一半导体芯片(100)的一端及第二半导体芯片(101)的一端相连接，第一半导体芯片(100)的另一端与第一金属功率端子(200)及第一电容(104)的一端相连接，第三金属功率端子(202)与第二半导体芯片(101)的另一端及驱动芯片(208)的GND引脚接地；驱动芯片(208)的VDDB引脚与第五金属信号端子(207)及第三电容(211)的一端相连接，第三电容(211)的另一端接地；驱动芯片(208)的第一VOB引脚与第三电阻(214)的一端相连接，驱动芯片(208)的第二VOB引脚与第四电阻(215)的一端相连接，第四电阻(215)的另一端及第三电阻(214)的另一端与第二半导体芯片(101)的控制端相连接。

3.根据权利要求2所述的直插式的高集成度功率模块的封装结构，其特征在于，第一金属功率端子(200)、第二金属功率端子(201)、第三金属功率端子(202)、第一金属信号端子(203)、第二金属信号端子(204)、第三金属信号端子(205)、第四金属信号端子(206)及第五金属信号端子(207)位于第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)的同一侧。

4.根据权利要求1所述的直插式的高集成度功率模块的封装结构，其特征在于，第一半导体芯片(100)及第二半导体芯片(101)为硅基芯片、碳化硅或氮化镓芯片。

5.根据权利要求1所述的直插式的高集成度功率模块的封装结构，其特征在于，第一金属陶瓷绝缘导电基板(105)内部具有第一导电通孔阵列(121)及第二导电通孔阵列(122)。