[发明专利]一种碳化硅晶片剥离装置和方法在审
| 申请号： | 202310181760.6 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116364602A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 尹韶辉;刘坚;邱蕾;郑延青;钱泽梁 | 申请（专利权）人： | 江苏优普纳科技有限公司;无锡市锡山区半导体先进制造创新中心 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京思睿峰知识产权代理有限公司 11396 | 代理人： | 谢建云;赵爱军 |
| 地址： | 214001 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶片剥离装置和方法。碳化硅晶片剥离装置，包括：剥离单元和控制单元；剥离单元，包括：顶升部，适于利用顶升力将碳化硅晶片从晶锭中进行剥离；缓冲部，与顶升部固接，适于在顶升部的顶升力达到预设值时，在顶升部与碳化硅晶片之间形成缓冲；驱动部，与缓冲部固接，适于驱动缓冲部和顶升部靠近或远离碳化硅晶片；控制单元，与驱动部电信连接，适于控制驱动部启动或关闭。该装置在顶升部的顶升力达到预设值时，通过缓冲部在顶升部与碳化硅晶片之间形成缓冲，达到保护晶片的目的，减少碳化硅晶片剥离时破片率较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 剥离 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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