[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310086134.9 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116056557A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；于所述衬底的顶面上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向交替堆叠的支撑层、牺牲层和支撑层，形成所述牺牲层时产生的衬底弯曲度不大于30μm，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的电容孔；形成覆盖所述电容孔内壁的下电极层；去除所述牺牲层；形成覆盖所述下电极层表面的电介质层、以及覆盖所述电介质层表面的上电极层，以形成包括所述下电极层、所述电介质层和所述上电极层的电容器。本公开能够降低电容制程中产生的应力，减少电容发生形变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310086134.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电润湿膜层、背光模组及显示装置
- 下一篇：接线装置
