[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在审
| 申请号： | 202310067813.1 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN115954389A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/04;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;葛臻翼 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个。第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体。复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域包含In |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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