[发明专利]一种图形化复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202310047454.3 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116053377A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 冯磊;李超;谈健 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 周晓艳;李杰强 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化复合衬底及其制备方法，本发明的制备方法中，对边缘进行了倒角处理，匹配边缘较慢的刻蚀速率，与中心区域较高的刻蚀速率匹配，解决了边缘效应带来的生产问题，并最终在整个衬底上都可以获得满足工艺要求的微结构，即能够保证边缘区域GaN材料生长的结晶质量，减少最终合格成品芯粒的产出。本发明的复合衬底形成有微结构，便于GaN材料的高质量生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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